[发明专利]反射镜、特别是微光刻投射曝光设备的反射镜

说明书

本发明关于反射镜，特别是微光刻投射曝光设备的反射镜。根据本发明的反射镜具有反射镜基板(101)，将入射至光学有效表面(100a)上的电磁辐射反射的反射层系统(102)，以及覆盖层(104)，该覆盖层布置在反射层系统(102)面向光学有效表面(100a)的一侧上，并且该覆盖层由第一材料制造，其中第二材料的粒子(105)单独地或团簇地施加至此覆盖层(104)上，其中该第二材料与该第一材料不同。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年4月20日提交的德国专利申请DE 10 2015 207140.5的优先权。通过引用将该申请的内容并入本文。

技术领域

本发明涉及反射镜，特别是微光刻投射曝光设备的反射镜。

背景技术

微光刻用来制造微结构部件，例如集成电路或LCD。微光刻工艺在所谓的投射曝光设备内执行，该设备包含照明装置和投射镜头。通过照明装置照明的掩模(掩模母版)的像在该情况下由投射镜头投射至基板(例如硅晶片)上，该基板涂覆有感光层(光刻胶)并布置在投射镜头的像平面中，以将掩模结构转印至基板的感光涂层。

在设计用于EUV范围(即，在例如大约13nm或大约7nm的波长)的投射镜头中，由于无法取得合适的透光折射材料，所以使用反射镜当成用于成像过程的光学部件。这种EUV反射镜具有反射镜基板和反射照在光学有效表面上的电磁辐射的反射层系统。

为了避免操作期间入射的EUV辐射损害反射层系统的化学反应层材料，除此以外也知道要在反射层系统上施加覆盖层(capping layer)，该覆盖层可由例如金属材料或氧化物或氮化物所形成，并且尤其可抑制例如氧(O₂)从相邻气相扩散进入该反射层系统。

实际上所发生的问题，特别是在运输、储存或操作期间，就是这种覆盖层也易受分子污染(例如受烃类污染)，其中在相应反射镜上的对应污染沉积物会导致损害其反射特性，因此降低投射曝光设备的整体性能。

有关现有技术，单纯以示例方式参考US 2003/0064161 A1、WO 02/054115 A2、US2007/0283591 A1、US 8,764,905 B1以及US 8,742,381 B2。

发明内容

本发明的目的在于提供一种反射镜，尤其是微光刻投射曝光设备的反射镜，其中不想要的污染得到特别有效的避免。

此目的根据独立权利要求1的特征来实现。

根据本发明，包含光学有效表面的反射镜具有：

-反射镜基板；

-反射层系统，反射入射至该光学有效表面上的电磁辐射；以及

-覆盖层，配置在该反射层系统面向该光学有效表面的一侧上，并且由第一材料制造；

-其中第二材料的粒子单独地或团簇地施加至该覆盖层上，其中该第二材料与该第一材料不同。

该反射层系统可为许多单独层的交替序列的形式的多层系统，或是单独层(其中该反射镜可各具有额外功能层，像是阻挡层等等)。

在一些实施例中，该反射镜可为描述为掠入射的反射镜(其中该反射层系统可具有例如单独层，其由完全示例性典型层厚度在30nm的区域的钌(Ru)制成)。在本文中已经了解这种在掠入射之下操作的反射镜，并且接下来这种反射镜表示反射镜的反射角度(其发生在EUV辐射的反射期间并且关于相应表面法线)至少65°。有时，这种反射镜也以缩写方式称为GI反射镜(“掠入射(grazing incidence)”)。

此外，该反射镜也可为在法线入射下操作的反射镜(也称为NI反射镜，“法线入射(normal incidence)”)(其中反射层系统可具有例如钼与硅层的交替相继)。