[发明专利]粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板

说明书

提供一种在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅镀覆电路密合性、而且对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理铜箔为在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且大致球状突起的平均最大直径b_ave相对于大致球状突起的平均颈部直径a_ave的比b_ave/a_ave为1.2以上。

技术领域

本发明涉及粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板。

背景技术

近年来，作为适于电路的微细化的印刷电路板的制造方法，广泛采用SAP(半加成，semi-additive process)法。SAP法是极其适于形成微细的电路的方法，作为其一个例子，使用带载体粗糙化处理铜箔而进行。例如，如图1及2所示，使用预浸料12和底漆层13，将具备粗糙化表面的极薄铜箔10、与在基底基材11a具备下层电路11b而成的绝缘树脂基板11上面压接而使其密合(工序(a))；剥离载体箔(未图示)后，根据需要通过激光穿孔形成导通孔14(工序(b))。接着，通过蚀刻去除极薄铜箔，从而使赋予了粗糙化表面轮廓的底漆层13露出(工序(c))。对该粗糙化表面施加了化学镀铜15(工序(d))后，通过使用了干膜16的曝光及显影以规定的图案进行掩蔽(工序(e))，施加电镀铜17(工序(f))。将干膜16去除而形成布线部分17a(工序(g))后，通过蚀刻将相邻的布线部分17a、17a间的不需要的化学镀铜15去除(工序(h))，从而得到以规定的图案形成的布线18。

对于这样使用了粗糙化处理铜箔的SAP法，粗糙化处理铜箔自身在激光穿孔后通过蚀刻而被去除(工序(c))。而且，由于粗糙化处理铜箔的粗糙化处理面的凹凸形状被转印到去除了粗糙化处理铜箔的层叠体表面，因此在其后的工序中，能够确保绝缘层(例如底漆层13或不存在其的情况下为预浸料12)与镀覆电路(例如布线18)的密合性。需要说明的是，也广泛采用不进行与工序(c)相当的铜箔去除工序的MSAP(模拟半加成，modified·semi-additive process)法，但由于必需在显影后的蚀刻工序(相当于工序(h))中通过蚀刻将铜箔层和化学镀铜层这2层去除，因此与仅通过化学镀铜层1层的蚀刻去除而完成的SAP法相比，必需进行更深的蚀刻。因此，必需考虑到更多的蚀刻量而使电路间隔缩小一些，因此可以说MSAP法在微细电路形成性方面比SAP法差了一些。即，对于更微细的电路形成的目的，SAP法更有利。

另一方面，已知有控制了粗糙化颗粒形状的带载体粗糙化处理铜箔。例如，专利文献1(日本特开2013-199082号公报)中公开了一种带载体铜箔，其特征在于，在极薄铜层表面具有颗粒长度的10％的位置的颗粒根部的平均直径D1为0.2μm～1.0μm、且颗粒长度L1与颗粒根部的平均直径D1的比L1/D1为15以下的粗糙化处理层。该专利文献1中，优选的是，在极薄铜层表面，颗粒长度的50％的位置的颗粒中央的平均直径D2与颗粒根部的平均直径D1的比D2/D1为1～4，并且颗粒中央的平均直径D2与颗粒长度的90％的位置的颗粒前端D3的比D2/D3为0.8～1.0。另外，专利文献1的实施例中公开了粗糙化颗粒的长度为2.68μm以上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-199082号公报

发明内容

发明要解决的问题