[发明专利]基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置

说明书

在平台(7)的保持面(7a)设有用于吸附晶圆(W)的微细的吸引槽(7b)。吸引槽(7b)例如被划分为9个吸引区域(61A～61I)。吸引区域(61I)用于吸附圆形的晶圆(W)的中央部分。吸引区域(61A、61B、61C、61D、61E、61F、61G、61H)用于吸附圆形的晶圆(W)的周缘部分。对于保持在平台(7)上的晶圆(W)，向与吸引区域(61A～61I)相对应的9处位置分别喷射气体。

技术领域

本发明涉及例如对形成在半导体晶圆等基板上的器件进行检查等处理时保持基板的基板保持方法、该方法所使用的基板保持装置、以及处理方法和处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，进行用于评价半导体器件的电特性的探头检查。探头检查通过使探针与形成在半导体基板上的半导体器件的电极相接触，向每个半导体器件输入电信号，观测相对于此输出的电信号，从而进行电特性评价。

探头检查所使用的探头装置包括：平台(载置台)，其用于保持形成有作为检查对象的半导体器件的被检查基板，并且能够沿水平方向、垂直方向移动并旋转；以及对准装置，其用于使探针准确地与形成在被检查基板上的半导体器件的电极相接触。为了提高探头检查的可靠性，以平台上的被检查基板不发生错位的方式可靠地保持是很重要的。

作为在半导体工艺的领域中保持基板的技术，已知有一种使基板的背面和平台之间减压并固定的真空卡盘。

例如在日本特开2013－214676号公报(专利文献1)中提出了：为了将具有翘曲的基板保持水平，在利用多孔质体形成的保持部的中心区域和外周区域能够分别调节吸引压力。

此外，虽是与基板输送装置相关的技术，但在日本特开2000－243814号公报(专利文献2)中提出了：通过从具有真空吸引孔的基板保持装置的上方吹喷气体，从而即使是具有翘曲的基板也能够可靠地吸附。

在吸附保持圆形的基板的情况下，通过在平台的基板保持面呈同心圆状设置多个槽，使该槽内减压，从而能够吸引基板。但是，在使多个同心圆状的槽内减压的机构中，存在若因基板的翘曲而使基板的周向的1处发生泄漏则无法获得充分的吸附力这样的问题。特别是近年来有基板尺寸大型化的倾向，并且基板自身也变薄，翘曲易于变大。并且，也需要应对与树脂基板、玻璃基板等半导体晶圆相比易于发生翘曲的种类的基板。

发明内容

本发明提供即使是易于产生较大的翘曲的基板也能够可靠地吸附保持的基板保持方法和基板保持装置。

本发明的基板保持方法是使基板吸附保持于平台的方法。在本发明的基板保持方法中，所述平台具有用于吸附并保持所述基板的下表面的基板保持面，所述基板保持面被划分为能够局部地吸引所述基板的多个区域。而且，本发明的基板保持方法通过依次重复在使所述基板的一部分吸附于所述多个区域中的至少一个区域之后、使所述基板的其他部分吸附于与使所述基板的一部分吸附的区域邻接的区域的操作，从而使所述基板整体吸附保持于所述平台。此外，本发明的基板保持方法在使所述基板局部地吸附时利用按压部件将所述基板的吸附部位向所述基板保持面按压。

本发明的基板保持方法也可以是，所述按压部件是用于朝向所述吸附部位的上表面吹喷气体的气体喷射装置。在该情况下，所述气体也可以是加热气体，该加热气体的温度也可以保持在所述平台的温度±10℃的范围内。

本发明的基板保持方法也可以是，所述按压部件是具有与所述吸附部位的上表面相抵接并将所述吸附部位向所述基板保持面按压的按压构件的按压装置。

在本发明的基板保持方法中，也可以是所述基板呈圆形，并且所述基板保持面呈圆形，所述多个区域也可以包含与所述基板的中央部分相对应的中央区域和与所述基板的周缘部相对应且包围所述中央区域的多个周边区域。而且，本发明的基板保持方法也可以依次进行以下的工序：

使所述基板的中央部分吸附于所述中央区域；