[发明专利]基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置有效
| 申请号: | 201680019629.8 | 申请日: | 2016-02-10 |
| 公开(公告)号: | CN107431039B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
| 发明(设计)人: | 带金正;柴田秀和 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 保持 方法 装置 处理 | ||
1.一种基板保持方法,其用于使呈圆形的基板吸附保持于平台,其中,
所述平台具有用于吸附并保持所述基板的下表面的圆形的基板保持面,
所述基板保持面被划分为能够局部地吸引所述基板的多个区域,该多个区域中的至少一部分在所述基板保持面上沿周向排列,
通过依次重复在使所述基板的一部分吸附于所述多个区域中的至少一个区域之后、使所述基板的其他部分吸附于与使所述基板的一部分吸附的区域邻接的区域的操作,从而使所述基板整体吸附保持于所述平台,
并且,使所述基板局部地依次沿周向吸附于所述多个区域中的在所述基板保持面上沿周向排列的区域,且在使所述基板局部地吸附时,利用按压部件将所述基板的吸附部位向所述基板保持面按压。
2.根据权利要求1所述的基板保持方法,其中,
所述多个区域中的至少一部分在所述基板保持面上沿径向排列,使所述基板局部地依次沿径向吸附于所述多个区域中的沿所述径向排列的区域。
3.根据权利要求1所述的基板保持方法,其中,
所述按压部件是用于朝向所述吸附部位的上表面吹喷气体的气体喷射装置。
4.根据权利要求3所述的基板保持方法,其中,
所述气体是温度保持在所述平台的温度±10℃的范围内的加热气体。
5.根据权利要求1所述的基板保持方法,其中,
所述按压部件是具有与所述吸附部位的上表面相抵接并将所述吸附部位向所述基板保持面按压的按压构件的按压装置。
6.根据权利要求1所述的基板保持方法,其中,
所述多个区域包含与所述基板的中央部分相对应的中央区域和与所述基板的周缘部相对应且包围所述中央区域的多个周边区域,
该基板保持方法依次进行以下的工序:
使所述基板的中央部分吸附于所述中央区域;
接着,使所述基板的周缘部的一部分吸附于所述周边区域中的一个区域;
接着,使所述基板的周缘部的其他部分吸附于与使所述基板的周缘部的一部分吸附的所述周边区域邻接的一个或两个周边区域;以及
接着,使所述基板的与周缘部的所述其他部分邻接的另外部分吸附于与使所述基板的周缘部的所述其他部分吸附的周边区域邻接的周边区域。
7.根据权利要求1所述的基板保持方法,其中,
所述多个区域包含与所述基板的中央部分相对应的中央区域和与所述基板的周缘部相对应且包围所述中央区域的多个周边区域,
该基板保持方法依次进行以下的工序:
使所述基板的中央部分吸附于所述中央区域;
接着,使所述基板的周缘部局部地分别吸附于所述周边区域中的两个区域;
接着,使所述基板的周缘部的其他部分分别吸附于与使所述基板的周缘部局部地吸附的所述周边区域邻接的多个周边区域;以及
接着,使所述基板的与周缘部的所述其他部分邻接的另外部分分别吸附于与使所述基板的周缘部的所述其他部分吸附的多个周边区域邻接的多个周边区域。
8.根据权利要求6所述的基板保持方法,其中,
所述多个周边区域包含具有不同面积的两个以上周边区域,
使所述基板的周缘部依次从所述周边区域中的面积较小的区域到面积较大的区域局部地吸附。
9.根据权利要求1所述的基板保持方法,其中,
对于所述多个区域,以每个区域、或者包含两个以上区域的组合为单位进行在吸附着所述基板的状态下检测外部空气的进入状态的泄漏检测。
10.一种处理方法,其用于对基板进行规定的处理,其中,
该处理方法包含利用权利要求1所述的基板保持方法使基板吸附保持于平台的工序。
11.根据权利要求10所述的处理方法,其中,
该处理方法是检查形成在基板上的多个器件的电特性的器件的检查方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





