[发明专利]具有低静态电流变化的推挽电压驱动器有效
| 申请号： | 201680019392.3 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107431462B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | Y·宋;L·戴 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/30;H03F1/32;H03F3/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 袁逸;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 静态 电流 变化 电压 驱动器 | ||
1.一种电路，包括：
差分放大器，其配置成基于输出节点处的输出电压和输入电压的比较驱动偏置节点；
第一二极管式连接偏置晶体管，其使得第一端子耦合到所述偏置节点；
第一源极跟踪器输出晶体管，其使得第一端子耦合到所述输出节点并且栅极耦合到所述第一二极管式连接偏置晶体管的栅极；
第一共源共栅晶体管，其耦合到所述第一源极跟踪器输出晶体管的第二端子；以及
耦合到所述输出节点的至少一个第一节点，其中所述至少一个第一二极管包括耦合到所述第一共源共栅晶体管的栅极的端子。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述至少一个第一二极管包括使得第一端子耦合到所述输出节点的第一二极管式连接晶体管，和使得第一端子耦合到所述第一二极管式连接晶体管的第二端子的第二二极管式连接晶体管，以及其中所述第二二极管式连接晶体管的栅极耦合到所述共源共栅晶体管的栅极。
3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一二极管式连接晶体管、所述第二二极管式连接晶体管、以及所述共源共栅晶体管是NMOS晶体管。
4.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一二极管式连接晶体管、所述第二二极管式连接晶体管、以及所述共源共栅晶体管是PMOS晶体管。
5.如权利要求2所述的电路，其特征在于，进一步包括配置成将偏置电流驱动到所述第二二极管式连接晶体管的第二端子的电流源。
6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括：
第二二极管式连接偏置晶体管，其使得一端子耦合到所述偏置节点；
第二源极跟踪器输出晶体管，其使得第一端子耦合到所述输出节点并且使得栅极耦合到所述第二二极管式连接偏置晶体管的栅极；
第二共源共栅晶体管，其耦合到所述第二源极跟踪器输出晶体管的第二端子；以及
耦合到所述输出节点的至少一个第二节点，其中所述至少一个第二二极管包括耦合到所述第二共源共栅晶体管的栅极的端子。
7.如权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括：
配置成将电流驱动到所述第一二极管式连接偏置晶体管的第二端子的电流源。
8.如权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括：
电流源；以及
第二共源共栅晶体管，其使得第一端子耦合到所述第一二极管式连接偏置晶体管的第二端子，以及使得第二端子耦合到所述电流源，其中所述第一二极管式连接偏置晶体管的栅极耦合到所述第二共源共栅晶体管的所述第二端子。
9.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一二极管式连接偏置晶体管、所述第一共源共栅晶体管、以及所述第一源极跟踪器输出晶体管都包括NMOS晶体管。
10.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一二极管式连接偏置晶体管、所述第一共源共栅晶体管、以及所述第一源极跟踪器输出晶体管都包括PMOS晶体管。
11.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述差分放大器配置成驱动偏置节点，以使所述输出电压等于所述输入电压。
12.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一二极管式连接偏置晶体管被配置成具有等于所述第一源极跟踪器输出晶体管的漏源电压的漏源电压。
13.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一二极管式连接晶体管被配置成具有与所述第一源极跟踪器输出晶体管的漏源电压成比例的漏源电压。
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