[发明专利]低功率宽量程电平移位器

权利要求书

1.一种电平移位器电路，包括：

锁存器，其包括具有虚拟接地节点的一对交叉耦合反相器，所述锁存器被配置为将来自低电压域的低电压域输入信号电平移位成针对高电压域的高电压域输出信号，其中所述一对交叉耦合反相器被配置为由针对所述高电压域的高电源电压供电；

开关，其耦合在所述虚拟接地节点和地之间；

边沿触发脉冲发生器，其被配置为响应于所述低电压域输入信号中的上升沿以及响应于所述低电压域输入信号中的下降沿，将所述开关脉冲关断一转换时段；

第一NMOS存取晶体管，其耦合到所述交叉耦合反相器中的第一交叉耦合反相器的输出节点；以及

由低电源电压域供电的第一反相器，所述第一反相器被配置为将所述低电压域输入信号反转为第一反相器输出信号，并且其中所述第一NMOS存取晶体管的栅极被配置为由所述第一反相器输出信号驱动，并且其中所述高电源电压大于所述低电源电压。

2.根据权利要求1所述的电路，还包括：

第二NMOS存取晶体管，其耦合到所述交叉耦合反相器中的剩余的第二交叉耦合反相器的输出节点。

3.根据权利要求2所述的电路，还包括：

由针对所述低电压域的所述低电源电压供电的第二反相器，所述第二反相器被配置为将所述第一反相器输出信号反转为第二反相器输出信号，并且其中所述第二NMOS存取晶体管的栅极被配置为由所述第二反相器输出信号驱动。

4.根据权利要求3所述的电路，还包括第三反相器，其具有耦合到所述交叉耦合反相器中的所述第二交叉耦合反相器的所述输出节点的输入节点，并且其中所述第三反相器被配置为反转所述第二交叉耦合反相器的所述输出节点的电压，以产生所述高电压域输出信号。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述边沿触发脉冲发生器包括逻辑门和反相器延迟链。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述逻辑门包括XNOR门。

7.根据权利要求6所述的电路，其中，所述反相器延迟链包括被配置为向所述XNOR门的输入提供延迟的反转信号的奇数个反相器。

8.根据权利要求6所述的电路，其中所述开关包括NMOS开关晶体管，其具有耦合到地的源极和耦合到所述交叉耦合反相器的所述虚拟接地节点的漏极，并且其中所述XNOR门被配置为驱动所述NMOS开关晶体管的栅极。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述交叉耦合反相器中的第一交叉耦合反相器包括第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有耦合到高电压域电源节点的源极和耦合到第一NMOS晶体管的漏极，所述第一NMOS晶体管具有耦合到所述虚拟接地节点的源极。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述交叉耦合反相器中的剩余的第二交叉耦合反相器包括第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管具有耦合到所述高电压域电源节点的源极和耦合到第二NMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管具有耦合到所述虚拟接地节点的源极。