[发明专利]用于临时键合晶片的载体

说明书

技术领域

本发明涉及用于晶片的载体领域。载体可被用于在晶片的处理(例如，使晶片变薄)期间临时键合晶片。

背景技术

将晶片临时键合到载体上来允许晶片的处理是公知的。一个挑战是后续将晶片从载体上解键合(debond)。已经记载，不同载体允许借助于溶剂来解键合。在这种过程中，用于临时键合的粘合剂被以化学方式被溶解。

US2009/197070A描述了一种支撑板，其键合到基板以支撑该基板。在支撑板中，多个开口从键合表面渗透穿过到非键合表面。键合表面面向基板，非键合表面面向键合表面。在键合表面上形成有多孔区域，该多孔区域包括第一区域和围绕该第一区域的第二区域；并且第一区域具有比第二区域的开口率更大的开口率。这样，有可能实现如下支撑板，该支撑板能够利用溶剂容易地从半导体晶片上被剥落，但不会在半导体晶片的处理操作期间容易地从基板脱离。

US2005/0173064A1提供了一种支撑板，其具有如下结构，在该结构中，溶剂可以在基板变薄之后的短时间内被供应到支撑板与基板(例如半导体晶片)之间的粘合剂层。该文献还公开了剥去支撑板的方法。支撑板可以具有比半导体晶片更大的直径，并且在支撑板中形成渗透孔。支撑板的外周部是平坦部，在该平坦部中不形成渗透孔。当从支撑板上方注入乙醇时，乙醇通过渗透孔到达粘合剂层、溶解并除去粘合剂层。

US8882096B2公开了一种用于通过插入粘合剂层来支撑晶片的表面的穿孔支撑板。穿孔支撑板具有渗透孔。用于溶解粘合剂的溶剂穿透支撑板的穿孔，穿孔支撑板利用粘合剂粘附至晶片。穿孔支撑板包括用于防止偏转的加强部件。

US2004/0231793A1公开了使用多孔烧结金属作为用于晶片的临时载体。该载体可以以下方式被释放，使溶剂通过临时载体的孔来穿过临时载体的厚度，以便溶解用于将晶片粘附到临时载体上的粘合剂。

US2009325467A描述了一种工艺，其中可以使晶片变薄，而不出现凹坑。支撑板具有多个通孔。晶片的电路形成表面通过粘合剂构件粘附到支撑板的一个表面，并且凹坑防止构件粘附到另一个表面，该凹坑防止构件具有100μm或更大的厚度并且在一个面上具有粘合剂层。因此，通孔两端的开口被阻挡。支撑板通过凹坑防止构件被真空吸附到支撑台上，并且晶片被研磨/抛光以使晶片变薄。凹坑防止构件被剥去，并且溶剂通过通孔而渗透到粘合剂构件中，以使得晶片从支撑板上分离。

US2001005043A公开了一种技术，其以高产率和短时间执行晶片的薄化和从支撑基板的分离。无孔支撑基板被键合到具有孔的支撑基板的第二表面上，其中粘合剂层通过加热而熔化以阻挡孔。晶片被键合到具有孔的支撑基板的第一表面上，其具有被溶剂所溶解的粘合剂层。晶片通过研磨和蚀刻而变薄。粘合剂层通过加热而被熔化，并且具有孔的支撑基板相对于无孔支撑基板滑动，从而将具有孔的支撑基板与无孔支撑基板分开。然后，通过使溶剂通过在具有孔的支撑基板中所限定的孔，粘合剂层被溶解。由此，晶片与具有孔的支撑基板被分开。由于晶片上没有负载，所以防止了晶片损坏。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于临时键合晶片的载体。目的是为这种载体提供改进的属性。本发明的目的是提供一种载体，该载体允许通过使用渗透过载体的孔的溶剂，来溶解粘合剂，以容易地解键合晶片。本发明的目的是提供一种载体，该载体允许使晶片变薄，从而获得所需要的质量标准。

本发明的第一方面是载体，在该载体上可临时键合晶片，例如，以允许晶片变薄。该载体包括板状层压体。板状层压体包括第一层。第一层包括金属箔或金属片。该板状层压体包括第二层，该第二层包括具有三维开孔的多孔金属介质。多孔金属介质包括金属纤维。第一层被持久地键合到多孔金属介质上，由此封闭在第一层所位于的一侧的多孔金属介质的孔。

第一层被持久地键合到多孔金属介质，以使得在对临时键合到载体上的晶片解键合期间和在对该晶片解键合之后，第一层保持键合到多孔金属介质。

优选地，该载体具有盘的形状，其中该盘有可能由于线性侧部而不是圆周。线性侧部的存在是以便于与待键合到工作载体的晶片的形状相匹配。优选地，盘的圆形部分的直径适合于6英寸、8英寸或12英寸的晶片。这意味着盘的直径等于或略大于晶片的直径。