[发明专利]用于临时键合晶片的载体在审
| 申请号: | 201680014264.X | 申请日: | 2016-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN107431034A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
| 发明(设计)人: | D·戈森斯;J·德贝尔德梅克 | 申请(专利权)人: | 贝卡尔特公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华,范怀志 |
| 地址: | 比利时兹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 临时 晶片 载体 | ||
1.一种载体,在所述载体上晶片能够被临时键合,
其中所述载体包括板状层压体,
所述板状层压体包括:
-第一层,其中所述第一层包括金属箔或金属片;以及
-第二层,包括具有三维开孔的多孔金属介质;其中所述多孔金属介质包括金属纤维;
其中所述第一层被持久地键合到所述多孔金属介质,由此封闭在所述第一层所位于的一侧处的所述多孔金属介质的孔。
2.根据权利要求1所述的载体,其中所述第一层包括与所述多孔金属介质相同的金属或合金。
3.根据前述权利要求中任一项所述的载体,其中所述多孔金属介质包括不锈钢、钛、钯或钨;或者包括合金,所述合金包括按重量计超过50%的钛、钯或钨。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的载体,其中所述第一层通过金属键被持久地键合到所述多孔金属介质。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的载体,其中所述第一层通过粘合剂被持久地键合到所述多孔金属介质。
6.根据前述权利要求中任一项所述的载体,其中所述多孔金属介质的孔隙率在30%与80%之间。
7.根据前述权利要求中任一项所述的载体,其中所述金属纤维的等效直径在2μm与50μm之间。
8.根据前述权利要求中任一项所述的载体,其中所述多孔金属介质具有一个表面,所述表面用于被键合到晶片上,其中所述表面与所述第一层平行;并且其中所述表面被抛光,以使得所述载体具有小于10μm的总厚度偏差(TTV)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的载体,
其中所述多孔金属介质包括第一多孔层和第二多孔层,
其中所述第一多孔层被设置在所述第一层与所述第二多孔层之间;
并且其中所述第一多孔层的孔隙率高于所述第二多孔层的孔隙率。
10.根据前述权利要求中任一项所述的载体,其中所述第二层包括接触层,所述接触层用于被键合到晶片上,
其中所述接触层包括金属纤维和金属粉末的混合物,
其中所述金属纤维和所述金属粉末在其接触点处彼此被持久地键合。
11.根据前述权利要求中任一项所述的载体,其中所述多孔金属介质的侧边被持久密封,以使得在所述多孔金属介质的所述侧边处不存在开孔。
12.一种晶片与根据前述权利要求中任一项所述的载体的组件,
其中所述晶片通过粘合剂而被键合到所述第二层上。
13.一种用于晶片的处理的方法,包括步骤:
-通过粘合剂将晶片临时粘附到根据权利要求1至11中任一项所述的载体;
-处理被临时粘附到所述载体的所述晶片;
-通过解键合液对所述晶片与所述载体之间的临时粘合剂键合进行分离,来将晶片从载体解键合;其中所述解键合液从通过粘合剂而被键合到所述载体的所述晶片的组件的侧边渗透到多孔金属介质中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





