[发明专利]二氮杂二烯基化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和二氮杂二烯化合物

说明书

由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。(式中，R¹和R²各自独立地表示碳数1～6的直链或支化状的烷基，R³表示氢原子或碳数1～6的直链或支化状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。)

技术领域

本发明涉及新型的二氮杂二烯基化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料、使用了该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法和新型的二氮杂二烯化合物。

背景技术

含有金属元素的薄膜材料由于显示出电特性和光学特性，因此已在各种用途中应用。例如，铜和含有铜的薄膜由于高导电性、高耐电迁移性和高熔点这样的特性，已作为LSI的配线材料应用。另外，镍和含有镍的薄膜已主要用于电阻膜、阻隔膜等电子部件的构件、磁性膜等记录介质用的构件、电极等薄膜太阳能电池用构件等。另外，钴和含有钴的薄膜已用于电极膜、电阻膜、粘接膜、磁带、超硬工具构件等。

作为上述的薄膜的制造法，可列举出溅射法、离子镀法、涂布热分解法、使用溶胶凝胶法的金属有机化合物分解法(MOD法)、化学气相生长法等。其中，由于具有组成控制性、台阶高差被覆性优异、适于批量生产化、可以杂化聚集等众多的优点，因此包含ALD(AtomicLayer Deposition：原子层沉积)法的化学气相生长(以下也有时简单记载为CVD)法是最佳的制造方法。

作为用于化学气相生长法的金属供给源，报道了大量的各种原料。例如，专利文献1中公开了能够用作采用ALD法的薄膜形成用原料的二氮杂二烯基络合物。另外，专利文献2中公开了能够用于化学蒸镀法或原子层蒸镀法的二氮杂二烯系金属化合物。在专利文献1和专利文献2中，对于本发明的二氮杂二烯化合物没有具体的记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2013/0164456号说明书

专利文献2：日本特表2013-545755号公报

发明内容

发明要解决的课题

在使化学气相生长用原料等气化而在基材表面形成含有金属的薄膜的情况下，需要蒸汽压高、无自燃性、熔点低、并且能够在低温下热分解而形成薄膜的材料。特别是强烈希望有蒸汽压高、无自燃性并且熔点低的材料。

用于解决课题的手段

本发明人等反复研究，结果获知特定的二氮杂二烯基化合物可解决上述课题，完成了本发明。

本发明提供由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物、含有其的薄膜形成用原料和使用了该原料的薄膜的制造方法。

【化1】

(式中，R¹和R²各自独立地表示碳数1～6的直链或分支状的烷基，R³表示氢原子或碳数1～6的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。)

另外，本发明提供薄膜的制造方法，其中，将含有由上述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物的薄膜形成用原料以及含有由上述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物的蒸汽导入设置了基体的成膜室内，使该二氮杂二烯基化合物分解和/或化学反应，在该基体的表面形成含有选自金属原子和硅原子中的至少1种的原子的薄膜。

另外，本发明提供由下述通式(II)表示的二氮杂二烯化合物。

【化2】

(式中，R⁴表示碳数1～6的直链或分支状的烷基。)

发明的效果