[发明专利]二氮杂二烯基化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和二氮杂二烯化合物有效
| 申请号： | 201680013777.9 | 申请日： | 2016-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN107428677B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 吉野智晴;远津正挥;西田章浩;杉浦奈奈;樱井淳;冈部诚 | 申请（专利权）人： | 株式会社ADEKA |
| 主分类号： | C07C251/08 | 分类号： | C07C251/08;C23C16/18;C07F15/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 何杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氮杂二烯基 化合物 薄膜 形成 原料 制造 方法 二氮杂二烯 | ||
【权利要求书】：
1.由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物：
【化1】
式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或支化状的烷基，R3表示氢原子或碳数1～6的直链或支化状的烷基，M为钴，n表示由M表示的金属原子的价数，
在上述通式(I)中，R2与R3为不同的基团。
2.根据权利要求1所述的二氮杂二烯基化合物，其中，在上述通式(I)中，R3为氢。
3.根据权利要求1所述的二氮杂二烯基化合物，其中，在上述通式(I)中，R1为乙基，R2为甲基，并且R3为氢。
4.薄膜形成用原料，其含有权利要求1～3的任一项所述的二氮杂二烯基化合物。
5.根据权利要求4所述的薄膜形成用原料，其为用于ALD法的薄膜形成用原料。
6.薄膜的制造方法，其中，将使权利要求4所述的薄膜形成用原料气化而得到的含有二氮杂二烯基化合物的蒸汽导入设置了基体的成膜室内，使该二氮杂二烯基化合物分解和/或化学反应，在该基体的表面形成含有金属原子的薄膜。
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