[发明专利]前馈双向植入分裂栅极快闪存储器单元

权利要求书

1.一种分裂栅极快闪存储器单元(单元)，其包括：

衬底，其具有半导体表面；

位于第一浮动栅极FG上的第一控制栅极CG及位于第二浮动栅极FG上的第二CG，所述第一CG及所述第二CG各自位于所述半导体表面上的隧道栅极介电层上；

共同源极或共同漏极，其位于所述半导体表面中、介于所述第一FG与所述第二FG之间；以及

第一选择栅极及第二选择栅极，其位于选择栅极介电层上、分别介于所述半导体表面中的第一BL源极或漏极S/D与所述第一FG之间及所述半导体表面中的第二BL S/D与所述第二FG之间；

其中所述第一选择栅极具有第一袋形区域，所述第一袋形区域具有不同于与所述第二选择栅极相关联的第二袋形区域中的第二掺杂分布的第一掺杂分布，这减小了在使用所述第一选择栅极测量所述单元的读取电流(Ir)与使用所述第二选择栅极测量所述读取电流之间所述读取电流的变化。

2.根据权利要求1所述的单元，其中所述第一选择栅极、所述第二选择栅极、所述第一CG及所述第二CG各自包含多晶硅栅极。

3.根据权利要求1所述的单元，其中所述第一选择栅极、所述第二选择栅极、所述第一CG及所述第二CG各自包含金属栅极。

4.根据权利要求1所述的单元，其中所述第一掺杂分布与所述第二掺杂分布的总积分剂量相差至少2％。

5.根据权利要求1所述的单元，其中多个所述单元位于所述半导体表面上，且互连在一起并布置成阵列。

6.根据权利要求1所述的单元，其中所述单元包含n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管，且其中所述第一袋形区域及所述第二袋形区域均被进行硼掺杂。

7.根据权利要求1所述的单元，其中所述衬底包含硅。

8.一种制作分裂栅极快闪存储器单元(单元)的方法，其包括：

提供：衬底，其具有半导体表面，所述半导体表面包含位于第一浮动栅极FG上的第一控制栅极CG及位于第二FG上的第二CG，所述第一CG及所述第二CG各自位于所述半导体表面上的隧道栅极介电层上；共同源极或共同漏极，其位于所述半导体表面中、介于所述第一FG与所述第二FG之间；以及第一选择栅极及第二选择栅极，其位于选择栅极介电层上、分别介于所述半导体表面中的第一BL源极或漏极S/D与所述第一FG之间及所述半导体表面中的第二BL S/D与所述第二FG之间；

基于所述第一选择栅极及所述第二选择栅极的临界尺寸CD，选择：包含第一剂量的一组第一袋形区植入参数；及包含第二剂量的一组第二袋形区植入参数；及

执行双向袋形区植入，包含：使用所述一组第一袋形区植入参数进行针对与所述第一选择栅极相关联的第一袋形区域的第一袋形区植入；及使用所述一组第二袋形区植入参数进行针对与所述第二选择栅极相关联的第二袋形区域的第二袋形区植入；

其中所述一组第一袋形区植入参数与所述一组第二袋形区植入参数不同，具有导致所述第一袋形区域及所述第二袋形区域中的不同掺杂剂分布的差异，这减小了在使用所述第一选择栅极测量所述单元的读取电流(Ir)与使用所述第二选择栅极测量所述读取电流之间所述读取电流的变化。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一剂量与所述第二剂量相差至少2％。

10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括将所述第一选择栅极的未对准数据转换成所述第一选择栅极的所述CD且将所述第二选择栅极的未对准数据转换成所述第二选择栅极的所述CD。

11.根据权利要求8所述的方法，其中针对所述第一袋形区植入及所述第二袋形区植入的植入角度均介于15度到45度之间。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一选择栅极、所述第二选择栅极、所述第一CG及所述第二CG各自包含多晶硅栅极。