[发明专利]可配置为提供只读存储器功能的闪存存储器装置

说明书

相关申请

本申请要求2015年2月17日提交的美国专利申请14/624,476的权益。

技术领域

所公开的实施方案包括可被配置为作为只读存储器装置操作的闪存存储器装置。在一些实施方案中，闪存存储器装置可被配置为具有可变闪存阵列大小的闪存存储器部分和具有可变ROM阵列大小的只读存储器(ROM)部分。

背景技术

非易失性存储器单元在本领域中是熟知的。图1中示出一种现有技术的非易失性分裂栅存储器单元10。存储器单元10包括第一导电类型(诸如P型)的半导体衬底12。衬底12具有表面，在该表面上形成第二导电类型(诸如N型)的第一区14(也称为源极线SL)。也为N型的第二区16(也称为漏极线)形成在衬底12的该表面上。第一区14和第二区16之间是沟道区18。位线BL 20连接至第二区16。字线WL 22被定位在沟道区18的第一部分上方并与其绝缘。字线22几乎不与或完全不与第二区16重叠。浮栅FG 24在沟道区18的另一部分上方。浮栅24与该另一部分绝缘，并与字线22相邻。浮栅24还与第一区14相邻。浮栅24可与第一区14重叠以提供该区14到浮栅24的耦合。耦合栅CG(也称为控制栅)26位于浮栅24上方并与其绝缘。擦除栅EG 28在第一区14上方并与浮栅24和耦合栅26相邻，且与该浮栅和该耦合栅绝缘。浮栅24的顶部拐角可指向T形擦除栅28的内侧拐角以提高擦除效率。擦除栅28也与第一区14绝缘。单元10在USP 7,868,375中进行更为具体的描述，USP7,868,375的公开内容全文通过引用并入本文中。

现有技术的非易失性存储器单元10的擦除和编程的一个示例性操作如下。通过福勒-诺德海姆隧穿机制对单元10进行擦除，方法是在擦除栅28上施加高电压，同时其他端子等于零伏。电子从浮栅24隧穿到擦除栅28中，使得浮栅24带正电，从而在读取条件下导通单元10。所得的单元擦除状态被称为“1”状态。通过源极侧热电子编程机制对单元10进行编程，方法是在耦合栅26上施加高电压，在源极线14上施加高电压，在擦除栅28上施加中电压，以及在位线20上施加编程电流。流过字线22与浮栅24之间的间隙的电子的一部分获得足够的能量以注入到浮栅24中，使得浮栅24带负电，从而在读取条件下关断单元10。所得的单元编程状态被称为“0”状态。

现有技术中只读存储器装置也是已知的，其通常由掩膜诸如由BEOL(线的后端)掩模(诸如金属或接触掩模)实现。一些只读存储器装置永久存储数据，并且只能写入一次。其他只读存储器装置，诸如EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)可被写入，然后使用特殊机制擦除，然后再次写入。该序列可被无限地重复。

然而，现有技术不包含闪存存储器装置，该闪存存储器装置可作为只读存储器装置操作，或者可被实时电分割以提供可变闪存存储器部分和可变只读存储器部分。

需要的是使闪存存储器装置能够用作只读存储器装置的设计。进一步需要的是这样的设计，该设计允许装置的配置建立闪存存储器装置的将用作闪存存储器部分的一部分，以及将用作只读存储器部分的另一部分。

发明内容

所公开的实施方案包括可被配置为作为只读存储器装置操作的闪存存储器装置。在一些实施方案中，闪存存储器装置可被配置为闪存存储器部分和只读存储器部分。

附图说明

图1是现有技术的非易失性存储器单元的剖视图，本发明的方法可应用于该存储器单元。

图2是使用图1中示出的现有技术的非易失性存储器单元的非易失性存储器装置的框图。

图3示出利用被配置为提供只读存储器功能的闪存存储器装置的系统。

图4示出包括信息部分和ROM启用部分的闪存存储器阵列。

图5示出使用ROM启用部分的方法。

图6示出被分割成闪存存储器部分和只读存储器部分的存储器阵列。

图7示出扇区解码器。

图8A和图8B示出SecuredKey控制器。

图9示出允许访问ROM启用部分的安全方法。

图10示出用于ROM启用部分的解码器。

具体实施方式