[发明专利]可配置为提供只读存储器功能的闪存存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

闪存存储器单元的阵列，所述阵列包括第一组闪存存储器单元行和第二组闪存存储器单元行；

第一组解码器，所述第一组解码器被配置为使所述第一组闪存存储器单元行能够被擦除和编程；以及

第二组解码器，所述第二组解码器被配置为阻止所述第二组闪存存储器单元行被擦除和编程。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述第一组解码器响应于存储在所述阵列的控制部分中的第一组位。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中对所述第一组位的响应被存储在所述第一组解码器中的锁存器中。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中所述第二组解码器响应于存储在所述阵列的所述控制部分中的第二组位。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中对所述第二组位的响应被存储在所述第二组解码器中的锁存器中。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中所述控制部分包含指示所述控制部分是否可被擦除和编程的一个或多个位。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中所述第一组解码器为所述第一组闪存存储器单元行的擦除栅、耦合栅和源极线设置电压。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中所述第二组解码器为所述第二组闪存存储器单元行的擦除栅、耦合栅和源极线设置电压。

9.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中当所述非易失性存储器装置被加电时，从所述控制部分读取所述第一组位和所述第二组位。

10.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中当接收到所述擦除或所述编程命令时，从所述控制部分读取所述第一组位和所述第二组位中的一些。

11.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中在所述控制部分被编程之后，从所述控制部分读取所述第一组位和所述第二组位。

12.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述闪存存储器单元中的每个是非易失性分裂栅存储器单元。

13.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述第二组闪存存储器单元行是一次可编程的。

14.根据权利要求13所述的非易失性存储器装置，其中所述阵列中的OTP扇区中的OTP位使所述第二组闪存存储器单元行能够是一次可编程的。

15.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述第二组存储器阵列行中的行数是可变的。

16.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括所述阵列中的控制部分和与所述控制部分相关联的控制部分扇区解码器。

17.根据权利要求16所述的非易失性存储器装置，其中所述控制部分扇区解码器包括用以禁用对所述控制部分的所述擦除和所述编程的锁存器。

18.一种操作包括闪存存储器单元的阵列的非易失性存储器装置的方法，所述阵列包括第一组闪存存储器单元行和第二组闪存存储器单元行，所述方法包括：

通过第一组解码器从所述阵列的控制部分接收第一组位；

通过第二组解码器从所述阵列的所述控制部分接收第二组位；

通过所述第一组解码器使所述第一组闪存存储器单元行能够被擦除和编程；并且

通过所述第二组解码器禁用对所述第二组闪存存储器单元行的擦除和编程。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述控制部分包含指示所述控制部分是否可被擦除和编程的一个或多个位。

20.根据权利要求18所述的方法，还包括：

通过所述第一组解码器为所述第一组闪存存储器单元行的擦除栅、耦合栅和源极线设置电压。

21.根据权利要求20所述的方法，还包括：

通过所述第二组解码器为所述第二组闪存存储器单元行的擦除栅、耦合栅和源极线设置电压。

22.根据权利要求18所述的方法，还包括：

当所述非易失性存储器装置被加电时，从所述控制部分读取所述第一组位和所述第二组位。