[发明专利]带隙电压产生

权利要求书

1.一种带隙电压电路，包括：

(a)源极引线和接地引线；

(b)串联耦合于所述源极引线和所述接地引线之间的第一电阻器、第一节点和第二电阻器；

(c)串联耦合于所述源极引线和所述接地引线之间的带隙参考电压输出、第三电阻器、第二节点和第四电阻器；

(d)第一晶体管，其具有与所述第一电阻器、所述第一节点和所述第二电阻器并联连接的且耦合于所述源极引线和所述接地引线之间的射极和集电极，所述第一晶体管具有连接至所述集电极的基极；

(e)第二晶体管，其具有耦合于所述源极引线和所述接地引线之间的射极和集电极且具有耦合至所述第一节点的基极；

(f)第三晶体管，其具有耦合于所述源极引线和所述接地引线之间的射极和集电极且具有耦合至所述第二节点的基极；以及

(g)比较器，其具有连接至所述第二晶体管的所述射极的第一输入、连接至所述第三晶体管的所述射极的第二输入、以及输出。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一晶体管的所述集电极、所述第二晶体管的所述集电极和所述第三晶体管的所述集电极一起连接至所述接地引线。

3.根据权利要求1所述的电路，其包括连接所述第二晶体管的所述基极至所述第一节点的第五电阻器。

4.根据权利要求1所述的电路，其包括连接所述第三晶体管的所述基极至所述第二节点的第六电阻器。

5.根据权利要求1所述的电路，包括匹配的电流镜晶体管，所述匹配的电流镜晶体管分别耦合所述源极引线至所述第一电阻器、所述带隙参考电压输出、所述第一晶体管的所述射极、所述第二晶体管的所述射极和所述第三晶体管的所述射极，且具有连接至所述比较器的所述输出的控制输入。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二晶体管具有射极区域A且所述第三晶体管具有比A大的射极区域。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述电路的最小操作电压根据等式V1+VBE+Vdsat确定，其中V1是在所述第二节点处的第一参考电压，VBE(基极至射极的电压)是在所述第三晶体管的所述射极处产生相对于其基极的电压，以及Vdsat是耦合到所述第二晶体管的所述射极的电流镜晶体管操作于电流饱和区时的最小源极到漏极电压。

8.根据权利要求1所述的电路，其包括计算装置，所述计算装置具有耦合到所述带隙参考电压输出的引线。

9.一种产生带隙参考电压的方法，包括：

(a)在第一分压器的第一中心节点处产生分数基极射极电压，所述第一分压器由与第一晶体管的射极和集电极并联连接的两个串联连接的电阻器形成；

(b)对第二晶体管的射极以及对第三晶体管的射极进行偏置以使两者处于相等的电压以产生在所述第二晶体管的基极到射极电压和所述第三晶体管的基极到射极电压的差，其中所述第二晶体管具有射极区域A和耦合到所述第一中心节点的基极，以及所述第三晶体管具有比A大的射极区域和基极的；以及

(c)在第二分压器的顶端节点处产生所述带隙参考电压，所述第二分压器具有耦合到所述第三晶体管的所述基极的第二中心节点。

10.根据权利要求9所述的方法，其包括采用匹配的电流镜晶体管耦合所述第一分压器和所述第二分压器以及所述第二晶体管和所述第三晶体管至源极引线。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述偏置包括比较所述第二晶体管的所述射极电压和所述第三晶体管的所述射极电压，以及控制控制匹配的电流镜晶体管以提供所述相等电压至所述第二晶体管的所述射极和所述第三晶体管的所述射极。