[发明专利]用于热耗散的系统、装置和方法在审

专利信息
申请号: 201680009451.9 申请日: 2016-02-01
公开(公告)号: CN107210275A 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: S·尹;R·库马;H·W·乔玛;J·R·V·布特 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H01L23/498
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 周敏,陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 耗散 系统 装置 方法
【说明书】:

公开领域

本公开一般涉及与电连通性耦合的热耗散,尤其但不排他地涉及半导体封装。

背景技术

随着对具有增强的功能性的更复杂半导体封装的需求的增长,存在与实现该目标相关联的重大挑战。该挑战在于如何增大增强的功能性所必需的布线密度而不影响其他参数或过度地增大封装面积。对该挑战的常规办法是减小金属线和间隔参数(L/S)和向封装基板添加更多布线层。然而,这增大了封装面积,其导致了潜在封装翘曲的增加。因此,需要在常规方法上有所改善而不增大封装面积或布线密度的系统、装置和方法。

作为这些教导的特性的发明性特征、连同进一步的特征和优点从详细描述和附图中被更好地理解。每一附图仅出于解说和描述目的来提供,且并不限定本教导。

概览

以下给出了与本文所公开的装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化概述。如此,以下概述既不应被视为与所有构想的方面和/或示例相关的详尽纵览,以下概述也不应被认为标识与所有构想的方面和/或示例相关的关键性或决定性要素或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。相应地,以下概述仅具有在以下给出的详细描述之前以简化形式呈现与关于本文所公开的装置和方法的一个或多个方面和/或示例相关的某些概念的目的。

在本公开的一些示例中,系统、装置和方法包括一种半导体封装,该半导体封装包括:散热器,其具有底侧和周界;外周界部分,其沿着该散热器的周界附连至该散热器的底侧,该外周界部分在其中具有多个电通路;封装基板,其位于该外周界部分之下并与该外周界部分间隔开,该封装基板在其中具有多个电通路;多个连接点,其位于该外周界组件与该封装基板之间,该多个连接点将该外周界部分的多个电通路耦合至该封装基板中的多个电通路;以及其中该外周界部分在该散热器的底侧上形成腔。

在本公开的一些示例中,系统、装置和方法包括一种半导体封装,该半导体封装包括:散热器,其具有底侧和周界;外周界部分,其沿着该散热器的周界附连至该散热器的底侧,该外周界部分在其中具有多个电通路;内部部分,其附连至该散热器的底侧,该内部部分在其中具有多个电通路;封装基板,其位于该外周界部分之下并与该外周界部分间隔开,该封装基板在其中具有多个电通路;多个连接点,其位于该外周界组件与该封装基板之间,该多个连接点将该外周界部分的多个电通路耦合至该封装基板中的多个电通路;以及其中该外周界部分和该内部部分形成该散热器的底侧上的第一腔以及在该散热器的底侧上水平地毗邻于该第一腔并与该第一腔间隔开的第二腔。

在本公开的一些示例中,系统、装置和方法包括一种散热器,该散热器包括:第一部分,其具有底侧和周界;外周界部分,其沿着该第一部分的周界附连至该第一部分的底侧,该外周界部分在其中具有多个电通路;多个连接点,其位于外周界与该第一部分相对的底侧上,该多个连接点被耦合至该外周界部分的多个电通路并提供外部连接;以及其中该外周界部分在该第一部分的底侧上形成腔。

在本公开的一些示例中,系统、装置和方法包括一种散热器,该散热器包括:第一部分,其具有底侧和周界;外周界部分,其沿着该第一部分的周界附连至该第一部分的底侧,该外周界部分在其中具有多个电通路;内部部分,其附连至该第一部分的底侧,该内部部分在其中具有多个电通路;多个连接点,其位于该外周界组件与该封装基板之间,该多个连接点将该外周界部分的多个电通路耦合至该封装基板中的多个电通路;以及其中该外周界部分和该内部部分形成该第一部分的底侧上的第一腔以及在该第一部分的底侧上水平地毗邻于该第一腔并与该第一腔间隔开的第二腔。

基于附图和详细描述,与本文公开的装置和方法相关联的其它特征和优点对本领域的技术人员而言将是明了的。

附图简要说明

对本公开的各方面及其许多伴随优点的更完整领会将因其在参考结合附图考虑的以下详细描述时变得更好理解而易于获得,附图仅出于解说目的被给出而不对本公开构成任何限定,并且其中:

图1解说了根据本公开的一些示例的示例性处理器。

图2解说了根据本公开的一些示例的示例性用户装备(UE)。

图3解说了根据本公开的一些示例的具有管芯的示例性半导体封装。

图4A-E解说了根据本公开的一些示例的具有两个管芯的示例性半导体封装。

图5A-D解说了根据本公开的一些示例的用于形成具有管芯的半导体封装的示例性部分过程流。

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