[发明专利]聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体及其制造方法和用途

说明书

本发明提供对金属等杂质的除去性能优异、且应力、断裂伸长率等也优异的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体以及其制造方法、使用该多孔质体来进行分离及/或吸附的方法、由该多孔质体形成的分离材料、吸附材料及过滤介质、以及包含该多孔质体的层叠体及过滤装置。一种聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体，其中，聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺具有选自由羧基、盐型羧基及‑NH‑键组成的组中的至少一者。

技术领域

本发明涉及聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体以及其制造方法、使用该多孔质体来进行分离及/或吸附的方法、由该多孔质体形成的分离材料、吸附材料及过滤介质、以及包含该多孔质体的层叠体及过滤装置。

背景技术

对于半导体装置而言，随着对高性能·高功能化、低电力消耗化的要求提高，电路图案的微细化正在发展，伴随于此，将会引起制造成品率降低的污染金属除去的需求变得非常高。因此，在用于向基板赋予疏水性的保护膜形成用药液、硅晶片的清洗液等药液中不包含铁、镍等污染金属是令人期望的。

对于半导体装置的制造工序中使用的上述那样的药液而言，为了预先将铁、镍等污染金属除去，可利用过滤装置等进行净化。过滤装置通常具备使用了多孔质膜的过滤介质。

为了除去金属离子等杂质，纳米粒子等微小物质也可被除去的多孔质膜是令人期望的。作为可从在半导体装置等用途中使用的药液、树脂材料中除去杂质的过滤膜，通常为尼龙、聚乙烯、聚丙烯、PTFE 等，例如，已知通过使用尼龙等过滤膜也可除去有机系的杂质(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4637476号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，由尼龙形成的膜的耐酸性弱，因此存在难以用酸清洗、难以将混入或附着于过滤器本身的杂质除去的问题。此外，由聚乙烯形成的膜存在对必须从用于半导体装置制造工序的药液中除去的铁、镍等杂质的除去率低的问题。

此外，用于过滤介质的多孔质膜由于在工业上被多次重复使用，因此具有耐久性(应力、断裂伸长率高等)的多孔质膜是优选的。

本发明是鉴于上述情况而作出的，其目的在于提供对金属等杂质的除去性能优异、且应力、断裂伸长率等也优异的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体以及其制造方法、使用该多孔质体来进行分离及/ 或吸附的方法、由该多孔质体形成的分离材料、吸附材料及过滤介质、以及包含该多孔质体的层叠体及过滤装置。

用于解决课题的手段

本申请的发明人发现，具有选自由羧基、盐型羧基及-NH-键组成的组中的至少一者的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体不会损害由聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺带来的应力、断裂伸长率等，而且至少因其多孔质结构而使得金属除去性能优异，从而完成了本发明。

本发明的第一方式为聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体，其中，聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺具有选自由羧基、盐型羧基及-NH- 键组成的组中的至少一者。

本发明的第二方式为本发明的第一方式的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体的制造方法，所述制造方法包括由聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺中的酰亚胺键的一部分形成羧基或盐型羧基的工序。

本发明的第三方式为进行分离及/或吸附的方法，所述方法使用本发明的第一方式的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体，所述分离可包含选自由过滤、离析、除去、捕获、纯化及筛分组成的组中的至少一者。

本发明的第四方式为分离材料，其由本发明的第一方式的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体形成。

本发明的第五方式为吸附材料，其由本发明的第一方式的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体形成。