[发明专利]聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体及其制造方法和用途有效

专利信息
申请号: 201680009021.7 申请日: 2016-02-03
公开(公告)号: CN107207760B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 菅原司;市川正则;越山淳;户张光治 申请(专利权)人: 东京应化工业株式会社
主分类号: C08J9/26 分类号: C08J9/26;B01D71/64;B01J20/26
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 聚酰亚胺 聚酰胺 亚胺 多孔 质体 及其 制造 方法 用途
【权利要求书】:

1.聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体,其中,聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺具有选自由羧基、盐型羧基及-NH-键组成的组中的至少一者,

并且,所述聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体的利用下述方法测定的未变化率为70%~99.5%,

未变化率(%)=(X2)÷(X1)×100

式中,X2为由下述值表示的值:对于酰亚胺键的一部分开环而成为所述具有选自由羧基、盐型羧基及-NH-键组成的组中的至少一者的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体,将利用傅立叶变换红外光谱即FT-IR装置测得的表示酰亚胺键的峰的面积除以同样利用FT-IR装置测得的表示苯的峰的面积所得到的值,

X1为由下述值表示的值:使用与求出了X2的多孔质体相同的聚合物,其中,所述聚合物未进行所述酰亚胺键的开环,对于得到的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体,将利用傅立叶变换红外光谱即FT-IR装置测得的表示酰亚胺键的峰的面积除以同样利用FT-IR装置测得的表示苯的峰的面积所得到的值,

其中,用于制作所述多孔质体的清漆包含聚酰胺酸的情况下,视为在烧成工序中已实质上完成酰亚胺化反应。

2.如权利要求1所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体,其中,由所述X2的值表示的酰亚胺化率为1.2~2。

3.如权利要求1所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体,其为含有在内表面具有曲面的孔的多孔质体。

4.如权利要求3所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体,其中,所述具有曲面的孔形成连通孔。

5.如权利要求1~4中任一项所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体,其中,所述聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺具有选自由下述式(3)~(6)表示的结构单元组成的组中的至少一者,

[化学式1]

[化学式2]

式中,X相同或不同,为氢原子或阳离子成分,Ar为芳基,Y为将二胺化合物的氨基除去而得到的二价残基。

6.权利要求1~5中任一项所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体的制造方法,所述制造方法包括:由聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺中的酰亚胺键的一部分、以所述未变化率为70%~99.5%的方式形成羧基及/或盐型羧基的工序;和在所述工序之后于温度120~400℃进行烧成的工序。

7.进行分离及/或吸附的方法,所述方法使用权利要求1~5中任一项所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体,所述分离包含或者不包含选自由过滤、离析、除去、捕获、纯化及筛分组成的组中的至少一者。

8.如权利要求7所述的方法,其在半导体制造中进行。

9.分离材料,其由权利要求1~5中任一项所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体形成。

10.吸附材料,其由权利要求1~5中任一项所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体形成。

11.过滤介质,其由权利要求1~5中任一项所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体形成。

12.层叠体,其包含权利要求11所述的过滤介质和其他过滤材料。

13.过滤装置,其包含权利要求1~5中任一项所述的聚酰亚胺及/或聚酰胺酰亚胺多孔质体。

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