[发明专利]单晶提拉装置的清洗方法及其清洗用具和单晶的制造方法有效
| 申请号: | 201680007916.7 | 申请日: | 2016-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN107208306B | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
| 发明(设计)人: | 冲田宪治 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张雨;刘林华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单晶提拉 装置 清洗 方法 及其 用具 制造 | ||
1.一种单晶提拉装置的清洗方法,其特征在于,具有如下清洗工序:
准备模仿了包括模仿了坩埚内的原料熔液的液面的仿制液面、及模仿了从所述原料熔液的液面向上方提拉途中的单晶锭的第1仿制锭的所述坩埚的仿制坩埚,并以在单晶提拉装置的已被减压的腔室内设置有所述仿制坩埚的状态供给气体,使受到了所述仿制坩埚的影响的所述气体的流动产生,以使附着在所述腔室的壁面或所述腔室内的组件上的异物脱落。
2.根据权利要求1所述的清洗方法,其中,
所述单晶提拉装置具有:
旋转支承轴,其在所述腔室内可升降地支承所述坩埚;及
热屏蔽体,其配置在所述旋转支承轴的上方,
以使所述仿制液面与所述热屏蔽体的下端之间的第1隙宽实质上和实际单晶提拉工序中的所述原料熔液的液面与所述热屏蔽体的下端之间的第2隙宽相等的方式,调整所述仿制坩埚的高度而实施所述清洗工序。
3.根据权利要求1或2所述的清洗方法,其中,
在所述清洗工序中,使所述仿制坩埚上下摆动。
4.根据权利要求1或2所述的清洗方法,其中,
所述仿制坩埚为树脂制。
5.根据权利要求2所述的清洗方法,其中,
准备模仿了单晶锭的第2仿制锭,在所述清洗工序中,以在所述腔室内吊设有所述第2仿制锭的状态供给所述气体,使受到了所述第2仿制锭的影响的所述气体的流动产生,以使附着在所述腔室的壁面或所述腔室内的组件上的异物脱落。
6.根据权利要求5所述的清洗方法,其中,
以将所述第2仿制锭与所述第1仿制锭连结的状态实施所述清洗工序。
7.根据权利要求5所述的清洗方法,其中,
所述腔室具有:
主腔室;及
副腔室,其与所述主腔室的上部开口连结,
以将所述第2仿制锭配置在所述副腔室内的状态实施所述清洗工序。
8.根据权利要求7所述的清洗方法,其中,
以与所述仿制坩埚独立地使所述第2仿制锭上下摆动的状态实施所述清洗工序。
9.根据权利要求5所述的清洗方法,其中,
所述单晶提拉装置还具有钢丝绳,其与所述旋转支承轴配置在同轴上,且在末端部安装有挂钩,
在所述第2仿制锭的末端部安装有环配件,
通过使所述挂钩与所述环配件卡合且使所述卡合带游隙,将所述第2仿制锭与所述钢丝绳的下端部连结。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的清洗方法,其中,
所述第2仿制锭为树脂制。
11.一种单晶提拉装置的清洗方法,其特征在于,具有如下清洗工序:
准备模仿了单晶锭的仿制锭,以在单晶提拉装置的已被减压的腔室内设置有所述仿制锭的状态供给气体,使受到了所述仿制锭的影响的所述气体的流动产生,以使附着在所述腔室的壁面或所述腔室内的组件上的异物脱落。
12.根据权利要求11所述的清洗方法,其中,
以使所述仿制锭上下摆动的状态实施所述清洗工序。
13.根据权利要求11或12所述的清洗方法,其中,
所述仿制锭为树脂制。
14.根据权利要求11或12所述的清洗方法,其中,
将所述腔室内的温度设定为常温而实施所述清洗工序。
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