[发明专利]单晶提拉装置的清洗方法及其清洗用具和单晶的制造方法

说明书

本发明提供一种能够去除腔室内的异物而抑制位错化的单晶提拉装置的清洗方法。基于本发明的单晶提拉装置的清洗方法中，准备模仿了包括模仿了坩埚内的原料熔液的液面的仿制液面、及模仿了从所述原料熔液的液面向上方提拉途中的单晶锭的第1仿制锭的所述坩埚的仿制坩埚，并以在单晶提拉装置的已被减压的腔室内设置有所述仿制坩埚的状态供给惰性气体，使受到了所述仿制坩埚的影响的惰性气体的流动产生，以使附着在所述腔室的壁面或所述腔室内的组件上的异物脱落。

技术领域

本发明涉及一种基于切克劳斯基法（以下，称为CZ法）的单晶的制造中使用的单晶提拉装置的清洗方法，尤其涉及一种对常规的拆卸清洁中无法去除干净的残留于腔室内的较小的垃圾、尘埃等异物进行清洗的方法。并且，本发明涉及一种上述清洗方法中使用的清洗用具及采用上述清洗方法的单晶的制造方法。

背景技术

在基于CZ法的硅单晶的制造中，结束提拉工序后的单晶提拉装置内的各处附着有提拉时产生的蒸汽、钢丝绳的磨损粉末、因碳组件的劣化产生的碳尘、因冷却结晶时的石英坩埚的碎裂产生的石英的碎末及残余硅的碎末等各种异物。若不扫除它们而移到下一提拉工序，则上述异物脱离而附着于生长中的单晶上，从而引起位错化，因此每结束提拉工序便进行基于擦拭、真空吸尘及吹气等的腔室及腔室内的组件的拆卸清洁。

然而，由于单晶提拉装置的结构较为复杂，因此难以完全扫除单晶提拉装置的各个角落。因此，仅靠拆卸清洁无法降低单晶的位错化的发生率。

为了解决上述问题，专利文献1中提出有用于扫除难以人工扫除的副腔室的内表面及下垂于副腔室内的钢丝绳的清洗装置。并且，专利文献2中提出有拆卸清洁单晶提拉装置，并在腔室内设置组件后且石英坩埚内加入原料之前，对腔室内进行真空抽吸的方法。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开2001-348293号公报

专利文献2：日本专利公开2013-147406号公报。

发明内容

发明要解决的课题

然而，在上述专利文献2中所记载的清洗方法中，也无法充分地去除附着在腔室内壁及腔室内的组件上的细小的异物，从而要求对清洗方法的进一步改善。

因此，本发明的目的之一在于提供一种能够去除腔室内异物而抑制单晶的位错化的单晶提拉装置的清洗方法。并且，本发明的另一目的在于提供一种这种清洗方法中使用的清洗用具。本发明的又一目的在于提供一种包括这种清洗方法的单晶的制造方法。

用于解决技术课题的方案

为了解决上述课题，基于本发明的第1方式的单晶提拉装置的清洗方法的特征在于，具有如下清洗工序：准备模仿了包括模仿了坩埚内的原料熔液的液面的仿制液面、及模仿了从所述原料熔液的液面向上方提拉途中的单晶锭的第1仿制锭的所述坩埚的仿制坩埚，并以在单晶提拉装置的已被减压的腔室内设置有所述仿制坩埚的状态供给气体，使受到了所述仿制坩埚的影响的所述气体的流动产生，以使附着在所述腔室的壁面或所述腔室内的组件上的异物脱落。

根据本发明，模拟性地再现单晶提拉中的腔室内的结构，有意地使气体的较强的流动及乱流产生，从而能够使附着在腔室的壁面或腔室内的组件上的异物脱离，并能够预先去除常规的拆卸清洁中无法去除干净的残留于腔室内的较小的垃圾、尘埃等异物。因此，能够减少之后的提拉工序中的异物的脱离，从而能够降低由异物附着引起的单晶的位错化的发生率。