[发明专利]湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质

说明书

湿蚀刻方法具备以下步骤：使基板(W)旋转；向正在旋转的基板的第一面(器件形成面)供给蚀刻用的药液；以及在向基板供给药液的期间中，向基板的第二面(非器件形成面)供给蚀刻抑制液(DIW)。蚀刻抑制液经过基板的端缘(WE)而绕到第一面且到达第一区域，该第一区域为从第一面的周缘部分中的基板的端缘至第一面上的位于比端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。由此，能够对形成有两层膜的基板的上层良好地进行斜角蚀刻处理。

技术领域

本发明涉及一种对层叠有多层膜的基板的周缘部进行蚀刻的技术。

背景技术

在半导体装置的制造工序中具有通过湿蚀刻只去除形成于半导体晶圆等基板的表面上的膜中的周缘部分的工序，该工序被称作斜角蚀刻。在专利文献1中，通过对形成有一层膜的基板的表面的周缘部分供给蚀刻液来进行斜角蚀刻。在作为斜角蚀刻处理对象的基板上形成有两层(或两层以上)膜的情况下，有时要求只去除上层的膜而留下下层的膜。此时，在没有相对于下层而言上层的蚀刻选择比高的药液的情况下，难以应对上述要求。

例如，在作为下层的SiO₂膜之上形成有由单片式CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相淀积)装置形成的作为上层的SiGe膜的Si基板中，存在基板的端缘附近的SiGe膜的膜厚度薄的倾向(例如参照图4的(a))。因此，在湿蚀刻时，端缘附近的SiGe膜提前消失而SiO₂膜露出。当持续进行蚀刻直到在基板的周缘部分的整个区域将SiGe膜完全去除为止时，存在端缘附近的SiO₂膜消失而基底的Si露出的风险。

另外，例如在形成有作为下层的SiO₂膜和由间歇式成膜装置形成的作为上层的Poly-Si膜的Si基板中，在基板整个表面形成膜厚度大致均匀的Poly-Si膜(例如参照图6的(a))。在这样的基板中，去除基板的表面的周缘部分和背面整体的Poly-Si膜。此时，存在如下风险：通过供给用于表面的周缘部分的蚀刻的药液和用于背面的蚀刻的药液这两方，要蚀刻的端缘附近部分的Poly-Si膜提前消失，该要蚀刻的端缘附近部分的Poly-Si膜的基底的SiO₂膜也消失。

专利文献1：日本特开2008-47629号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供一种能够对形成有两层膜的基板的上层良好地进行斜角蚀刻处理的技术。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个实施方式，提供一种湿蚀刻方法，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，所述湿蚀刻方法的特征在于，具备第一蚀刻工序，所述第一蚀刻工序包括如下步骤：使所述基板旋转；向正在旋转的所述基板的所述第一面供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；以及在向所述基板供给所述药液的期间中，向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液，其中，所述第一蚀刻工序使所述基板以如下方式旋转来供给所述蚀刻抑制液，该方式为使所述蚀刻抑制液经过所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域的方式，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板的所述端缘至所述第一面上的位于比所述端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。

根据本发明的其它实施方式，提供一种存储介质，记录有如下程序：该程序在被用于对基板液处理装置的动作进行控制的计算机执行时，使所述计算机对所述基板液处理装置进行控制来执行上述的湿蚀刻方法。