[发明专利]湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质

权利要求书

1.一种湿蚀刻方法，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，所述湿蚀刻方法的特征在于，

具备第一蚀刻工序，所述第一蚀刻工序包括如下步骤：

使所述基板旋转；

向正在旋转的所述基板的所述第一面供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；以及

在向所述基板供给所述药液的期间中，向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液，

其中，所述第一蚀刻工序使所述基板以如下方式旋转来供给所述蚀刻抑制液，该方式为使所述蚀刻抑制液经过所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域的方式，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板的所述端缘至所述第一面上的位于比所述端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域，所述蚀刻抑制液防止或抑制作为所述第二层被去除的结果而露出的所述第一层被所述药液蚀刻。

2.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，

向所述基板的所述第二面供给所述蚀刻抑制液是在向所述基板的所述第一面供给所述药液并持续预先决定的时间之后、或在所述第二层通过所述药液而被蚀刻了预先决定的量之后开始的。

3.根据权利要求2所述的湿蚀刻方法，其特征在于，

通过利用所述蚀刻抑制液的液膜将所述基板的表面覆盖，或者通过利用所述蚀刻抑制液将所述药液稀释，来防止或抑制所述药液的蚀刻。

4.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，

所述湿蚀刻方法还具备第二蚀刻工序，

在所述第一蚀刻工序中，在使所述蚀刻抑制液到达所述第一区域的状态下供给所述药液，以对所述第一面的周缘部分中的位于比所述第一区域靠径向内侧的第二区域的所述第二层进行蚀刻，

所述第二蚀刻工序包括以下步骤：以使所述药液经过所述基板的端缘而绕到所述第一面的方式向所述基板的第二面供给所述药液，由此，同时对所述第二面上的所述第二层和所述第一面的位于所述第一区域的所述第二层进行蚀刻。

5.根据权利要求4所述的湿蚀刻方法，其特征在于，

通过利用所述蚀刻抑制液的液膜将所述基板的表面覆盖，或者通过利用所述蚀刻抑制液将所述药液稀释，来防止或抑制所述药液的蚀刻。

6.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，

通过利用所述蚀刻抑制液的液膜将所述基板的表面覆盖，或者利用所述蚀刻抑制液将所述药液稀释，来防止或抑制所述药液的蚀刻。

7.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，

所述蚀刻抑制液为纯水。

8.一种存储介质，记录有如下程序：该程序在被用于对基板液处理装置的动作进行控制的计算机执行时，使所述计算机对所述基板液处理装置进行控制来执行根据权利要求1所述的湿蚀刻方法。

9.一种基板液处理装置，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，在所述基板液处理装置中具备：

基板保持机构，其将所述基板以水平姿势保持，并使所述基板绕铅垂轴线旋转；

药液喷嘴，其向所述基板的所述第一面的周缘部分供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；

蚀刻抑制液喷嘴，其向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液；以及

控制装置，其至少对通过所述基板保持机构进行的所述基板的旋转和从所述蚀刻抑制液喷嘴供给的所述蚀刻抑制液的流量进行控制，

其中，所述控制装置在所述药液喷嘴向所述基板的所述第一面的周缘部分供给所述药液的期间中，利用所述蚀刻抑制液喷嘴向所述基板的所述第二面供给所述蚀刻抑制液，使所供给的该蚀刻抑制液经由所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板的所述端缘至所述第一面上的位于比所述端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域，所述蚀刻抑制液防止或抑制作为所述第二层被去除的结果而露出的所述第一层被所述药液蚀刻。