[发明专利]III-V族元素抗氧化液、处理液、氧化物去除液及去除方法、半导体基板处理液及制造方法

说明书

本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。

技术领域

本发明涉及一种III-V族元素的氧化物的去除液及使用该去除液的去除方法、半导体基板的处理液。并且，本发明涉及一种III-V族元素的化合物的处理液、III-V族元素的抗氧化液、以及半导体基板产品的制造方法。

背景技术

集成电路的制造由多阶段的各种加工工序构成。其制造过程中，一再反复进行多种材料的堆积、光刻、蚀刻等。其中，蚀刻和膜去除成为重要的工艺。不得不选择性地去除特定的材料，对于其他材料，避免腐蚀而使其残留。有时要求，以残留由类似的金属种类构成的层彼此或由防腐性更高的材料构成的层的形态，仅去除规定层。半导体基板内的配线和集成电路的尺寸越发减小，不会腐蚀应残留的部件而正确地进行膜去除等的重要性提高。

若以场效应晶体管为例，则随着其快速的微细化，强烈要求形成于源极- 漏极区域的上表面的硅化物层的薄膜化和新型材料的开发。并且，改变通常的 MOSFET结构来提出有各种多栅极晶体管(MuFET)(参考专利文献1、非专利文献1)。例如，提出有Flexfet、FinFET、GAAFET、三栅极晶体管等具有复杂结构的晶体管，希望开发适于这些晶体管的制造技术。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利7407847号说明书

非专利文献

非专利文献1：FinFETs and Other Multi-Gate Transistors,Colinge, J.-P.(Ed.)2008,XV

发明内容

发明要解决的技术课题

半导体基板的制造过程中，有时在露出有各部件的表面的状态下受到氧化。要求仅去除该氧化膜和氧化物的残渣来获得清洁的部件表面。并且，若不防止在蚀刻或去除膜之后出现的表面的氧化，则即使去除氧化物膜及氧化物的残渣，还会对之后的电特性产生不良影响。因此，对蚀刻或去除膜的表面进行抗氧化的重要性也提高。本发明中，尤其着眼于III-V族元素的氧化物的去除及去除氧化物之后的抗氧化。

本发明的目的在于，提供一种能够去除III-V族元素的氧化物，且能够根据需要对III-V族元素(金属)抑制或防止其膜的溶出的III-V族元素的氧化物的去除液及利用该去除液的去除方法、以及半导体基板的处理液及半导体基板产品的制造方法。

并且，本发明的目的在于，提供一种能够去除III-V族元素的氧化物，且能够抑制或防止去除氧化物之后的III-V族元素的氧化，进一步能够根据需要对III-V族元素(金属)抑制或防止其膜的溶出的III-V族元素的化合物的处理液。

而且，本发明的目的在于，提供一种能够抑制或防止III-V族元素的氧化，进一步能够根据需要对III-V族元素抑制或防止其膜的溶出的III-V族元素的抗氧化液。

用于解决技术课题的手段

上述课题通过以下方法解决。

〔1〕一种III-V族元素的氧化物的去除液，其含有酸与巯基化合物。

〔2〕根据〔1〕所述的去除液，其中，上述巯基化合物含有羧基及羟基中的至少1个与硫醇基。

〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的去除液，其中，巯基化合物为碳原子数1～ 12，且在分子内具有1个以上且4个以下的硫醇基。

〔4〕根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的去除液，其中，上述酸为无机酸。

〔5〕根据〔4〕所述的去除液，其中，上述无机酸为盐酸。