[发明专利]III-V族元素抗氧化液、处理液、氧化物去除液及去除方法、半导体基板处理液及制造方法

权利要求书

1.一种III-V族元素的氧化物的去除液，其含有酸与巯基化合物，

所述巯基化合物以下述式(1)、(4)中的任一个表示，所述III-V族元素为选自In、Ga、As及P中的至少1个，

R¹～R⁵分别独立地为氢原子、硫醇基、羧基、烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、酰基或酰基氨基；R¹～R⁵可相互键结而形成环；

m及n为整数；m+n为1～12的整数；

分子中的R¹～R⁵中，1个以上作为羧基而存在；

A为羧基或羟基；

R⁶为烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、酰基或酰基氨基；

HA表示从包含N的单环杂芳环去除m3+n3+p3个氢原子的结构；

n3及m3为0～5的整数；p3为1～4的整数。

2.根据权利要求1所述的去除液，其中，

所述巯基化合物含有羧基及羟基中的至少1个与硫醇基。

3.根据权利要求1所述的去除液，其中，

所述巯基化合物的碳原子数为1～12，且在分子内具有1个以上且4个以下的硫醇基。

4.根据权利要求1所述的去除液，其中，

所述酸为无机酸。

5.根据权利要求4所述的去除液，其中，

所述无机酸为盐酸。

6.根据权利要求1所述的去除液，其中，

抑制或防止III-V族元素的溶出，以去除III-V族元素的氧化物。

7.根据权利要求1所述的去除液，其中，

含有0.05质量％以上且20质量％以下的所述酸。

8.根据权利要求1所述的去除液，其中，

含有0.01质量％以上且10质量％以下的所述巯基化合物。

9.一种处理液，其为含有酸与巯基化合物的III-V族元素的半导体基板的处理液，所述巯基化合物含有羧基及羟基中的至少1个与硫醇基，其中，

所述巯基化合物以下述式(1)、(4)中的任一个表示，所述III-V族元素为选自In、Ga、As及P中的至少1个，

R¹～R⁵分别独立地为氢原子、硫醇基、羧基、烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、酰基或酰基氨基；R¹～R⁵可相互键结而形成环；

m及n为整数；m+n为1～12的整数；

分子中的R¹～R⁵中，1个以上作为羧基而存在；

A为羧基或羟基；

R⁶为烷基、烯基、芳基、芳烷基、氨基、酰基或酰基氨基；

HA表示从包含N的单环杂芳环去除m3+n3+p3个氢原子的结构；

n3及m3为0～5的整数；p3为1～4的整数。

10.根据权利要求9所述的处理液，所述巯基化合物的碳原子数为1～12，且在分子内具有1个以上且4个以下的硫醇基。

11.根据权利要求9所述的处理液，其中，

所述酸为无机酸。

12.根据权利要求11所述的处理液，其中，

所述无机酸为盐酸。

13.根据权利要求9所述的处理液，其含有0.05质量％以上且20质量％以下的所述酸。

14.根据权利要求9所述的处理液，其含有0.01质量％以上且10质量％以下的所述巯基化合物。