[发明专利]磁性体薄膜形成用溅射靶

说明书

本发明涉及一种溅射靶，其包含含有Co的合金以及硼和/或硼的氧化物，其特征在于，溶解到水中的氧化硼(B₂O₃)中的金属硼为7000μg/m²以下。本发明的课题在于提供一种能够抑制溅射时由B₂O₃的熔化引起的粉粒产生的适合于形成磁记录膜的溅射靶。

技术领域

本发明涉及用于磁记录介质的磁性体薄膜、特别是采用了垂直磁记录方式的硬盘的磁记录介质中的颗粒膜的成膜的磁性材料溅射靶，并涉及能够抑制溅射时的粉粒产生的、以Co或Fe作为主要成分的非磁性材料粒子分散型磁性材料溅射靶。

背景技术

在采用垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，使用以作为强磁性金属的Co或Fe作为基质的材料。其中，多使用包含Co-Cr基、Co-Pt、Co-Cr-Pt基和Fe-Pt基等以强磁性金属作为主要成分的合金和非磁性无机材料的复合材料。而且，这样的硬盘等磁记录介质的磁性薄膜经常通过使用以上述材料作为成分的溅射靶进行溅射而制作，这是因为其生产率高。

作为磁记录介质用溅射靶的制作方法，可以想到熔炼法、粉末冶金法。利用哪种方法进行制作取决于所要求的特性，因此不能一概而论，但是用于垂直磁记录方式的硬盘的记录层的包含以强磁性金属作为主要成分的合金和非磁性无机物粒子的溅射靶通常通过粉末冶金法来制作。这是因为：需要使氧化硼等无机物粒子均匀地分散在合金基体中，因此，难以通过熔炼法来制作。

如果检索在磁记录介质中添加氧化硼的公知文献，可以列举如下所述的专利文献。在专利文献1中记载了“一种磁记录介质，其具有磁数据记录层，其特征在于，所述磁数据记录层包含具有至少0.5×10⁷erg/cm³(0.5/Jcm³)的磁各向异性常数的第一合金以及包含氧和至少一种元素具有负还原电位的一种以上元素的氧化物”。作为上述氧化物，记载有氧化硼，但是关于靶中氧化硼的存在的问题、该问题的解决方法没有任何记载。

在专利文献2中记载了“一种靶，其用于通过溅射法形成磁记录介质的Co基磁性层，其特征在于，所述靶包含5摩尔％以上的Cr或Cr合金，包含5摩尔％以上的CoO，包含合计为3摩尔％～20摩尔％的范围内的熔点为800℃以下的氧化物，孔隙率为7％以下”，作为熔点为800℃以下的氧化物，记载有氧化硼等。在这种情况下，与上述的文献1同样，关于烧结体或包含烧结体的靶中氧化硼的存在的问题、该问题的解决方法没有任何记载。

在专利文献3中记载了“一种溅射靶，其是包含Cr为20摩尔％以下、余量为Co的强磁性合金和非金属无机材料的烧结体溅射靶，其特征在于，所述非金属无机材料所占的体积率为40体积％以下，所述非金属无机材料至少包含钴氧化物和硼氧化物”。在这种情况下，与上述的文献1、2同样，虽然记载了含有“硼氧化物”，但是关于靶中氧化硼的存在的问题、该问题的解决方法没有任何记载。

在专利文献4中记载了“一种磁记录膜用溅射靶，其含有SiO₂，其特征在于，含有10～1000重量ppm的B(硼)”。在这种情况下，虽然也包含氧化硼，但是，与上述的文献1、2、3同样，关于烧结体或包含烧结体的靶中的氧化硼的存在的问题、该问题的解决方法没有任何记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-59733号公报

专利文献2：日本特开2012-33247号公报

专利文献3：日本特开2012-117147号公报

专利文献4：日本专利第5009448号公报

发明内容

发明所要解决的问题