[发明专利]磁性体薄膜形成用溅射靶有效
| 申请号： | 201680006176.5 | 申请日： | 2016-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN108026631B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 森下雄斗 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C19/07;C22C32/00;G11B5/851;B22F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 薄膜 形成 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射靶，其包含含有Co的合金以及硼和/或硼的氧化物，其特征在于，所述硼的氧化物包含Co3TiB2O8、TiBO3、Mn3B2O6中的任意一种以上，并且包含以溶解到水中的氧化硼(B2O3)中的金属硼量计7000μg/m2以下的氧化硼(B2O3)。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，含有0.5原子％以上且15原子％以下的硼和/或硼的氧化物。
3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，含有选自Ti、V、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、W、Ru、Pt中的一种以上元素的金属，且所述金属元素的总含量为0.5原子％以上且30原子％以下。
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