[发明专利]芯片级功率可调紫外光源有效
申请号: | 201680005692.6 | 申请日: | 2016-02-19 |
公开(公告)号: | CN107278346B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | K·塞严;奥列格·M·埃菲莫夫;帕米拉·R·帕特森;安德雷·基谢廖夫 | 申请(专利权)人: | HRL实验室有限责任公司 |
主分类号: | H01S5/026 | 分类号: | H01S5/026;H01S5/028;H01S5/042;H01S5/06;H01S5/068;H01S5/0683;H01S5/187;H01S5/22 |
代理公司: | 北京鸿德海业知识产权代理事务所(普通合伙) 11412 | 代理人: | 袁媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片级 功率 可调 紫外 光源 | ||
1.一种芯片级紫外线激光源,包括:
衬底;
位于衬底上的多个芯片级紫外线激光器元件,其中每个芯片级紫外线激光器元件包括:
后腔镜;
耦合到所述后腔镜的锥形增益介质;
耦合到所述锥形增益介质的外耦合器;
非线性晶体,其在所述非线性晶体的前端面耦合到所述外耦合器,其中所述前端面具有第一涂层,所述第一涂层对所述激光器元件的基本波长具有抗反射性(AR),并且对紫外线波长具有高反射性(HR),并且其中所述非线性晶体的出射面具有第二涂层,所述第二涂层对所述激光器元件的基本波长具有高反射性(HR),并且对所述紫外线波长具有抗反射性(AR);
耦合至所述外耦合器的光电探测器;
耦合至所述光电探测器并耦合至所述后腔镜的调相器;和
所述衬底上的主激光二极管,其耦合至每个激光器元件的所述调相器并耦合至每个激光器元件的所述光电探测器;
其中每个激光器元件从所述出射面发射紫外线波束;以及
其中每个激光器元件频率和相位锁定至所述主激光二极管。
2.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源:
其中所述基本波长包括从440nm到480nm范围的波长;以及
其中所述紫外线波长包括从220nm到240nm范围的波长。
3.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源,其中每个锥形增益介质包括:
耦合到所述后腔镜的GaN脊形增益介质;以及
耦合到所述脊形增益介质和所述外耦合器的GaN锥形增益介质。
4.根据权利要求3所述的芯片级紫外线激光源,其中每个增益介质进一步包括:
在所述脊形增益介质上的脊形电极;以及
在所述锥形增益介质上的高斯电极。
5.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源,其中所述外耦合器包括:
具有不均匀光栅占空比的弯曲光栅外耦合器。
6.根据权利要求5所述的芯片级紫外线激光源,进一步包括位于所述弯曲光栅外耦合器下的所述衬底上的镜,所述镜具有高反射率。
7.根据权利要求5所述的芯片级紫外线激光源,进一步包括在所述弯曲光栅外耦合器和所述非线性晶体的所述前端面之间耦合的棱镜。
8.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源,其中每个调相器包括:
低损耗聚合物波导;以及
耦合到所述低损耗聚合物波导的加热器。
9.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源,其中所述主激光器二极管包括在基本波长处发射的单模GaN激光器二极管。
10.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源,其中所述光电探测器通过反向锥形波导来耦合到所述外耦合器。
11.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源,进一步包括用于合并所述紫外线波束的合并器。
12.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源,进一步包括:
第一多个低损耗聚合物波导,其将所述主激光器二极管耦合到所述光电探测器;
第二多个低损耗聚合物波导,其将所述主激光器二极管耦合到所述光调相器;以及
第三多个低损耗聚合物波导,其将所述外耦合器耦合到所述光电探测器。
13.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源,其中所述衬底包括非极化GaN衬底。
14.根据权利要求1所述的芯片级紫外线激光源,进一步包括将所述光电探测器耦合到所述调相器的反馈电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HRL实验室有限责任公司,未经HRL实验室有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680005692.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:插头模块系统
- 下一篇:服务器装置的控制方法以及服务器装置