[发明专利]用于低压环境的灯驱动器有效
申请号: | 201680003959.8 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN107110603B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 欧勒格·V·塞雷布里安诺夫;亚历山大·戈尔丁;约瑟夫·M·拉内什 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F27B17/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 低压 环境 驱动器 | ||
本公开内容的实施方式涉及用于在热处理腔室中作为热辐射源的灯的灯驱动器。灯驱动器包括电源、至少两个DC/DC转换器、至少两个DC/DC转换器之间的直接连接、以及附接至直接连接且可附接至基准电压的接线,每个DC/DC转换器与电源串联。多个灯驱动器可用来为定位于接地灯头组件中的多个灯供电。灯与接地灯头组件之间的电位减少,其减少了灯与灯头组件之间产生电弧的风险。
技术领域
本公开内容的实施方式大体涉及用于热处理基板的设备。具体言之,本公开内容的实施方式涉及用于在热处理腔室中作为辐射源的灯的灯驱动器。
背景技术
快速热处理(RTP)是用于在相对较短的时间周期内(如数秒或更少)于高温(通常为1200摄氏度或更高)下加热硅基板的半导体制造工艺。通常使用定位于灯头组件中的高强度灯(其未与处理区域流体连通)实现加热。灯头组件可在与处理区域中的压力匹配的减压下操作。在减压下,用于压力控制气体的最小击穿电压(break down voltage)较低,这增加了灯和灯头组件之间产生电弧的风险。
因此,需要一种改良的灯驱动器。
发明内容
本公开内容的实施方式涉及用于在热处理腔室中作为热辐射源的灯的灯驱动器。灯驱动器包括电源、至少两个DC/DC转换器、至少两个DC/DC转换器之间的直接连接、以及附接至直接连接且可附接至基准电压的接线,每个DC/DC转换器与电源串联。多个灯驱动器可用来为定位于接地灯头组件中的多个灯供电。灯与接地灯头组件之间的电位减少,其减少了灯与灯头组件之间产生电弧的风险。
在一个实施方式中,灯驱动器包括电源、至少两个直流到直流转换器、至少两个直流到直流转换器之间的直接连接、以及附接至直接连接且可附接至基准电压的接线,每个直流到直流转换器与电源串联。
在另一个实施方式中,热处理设备包括定位于灯头组件中的多个灯,以及一个或更多个灯驱动器,一个或更多个灯驱动器的每个灯驱动器连接至多个灯的一个或更多个灯,且一个或更多个灯驱动器各自包括电源、至少两个直流到直流转换器、所述至少两个直流到直流转换器之间的直接连接以及附接至所述直接连接且可附接至基准电压的接线,各直流到直流转换器与电源串联。
在另一个实施方式中,一种为定位于灯头组件中的多个灯供电的方法,包括将来自电源的480V交流电压转换为直流电压,使用至少两个直流到直流转换器将所述直流电压减少为一减小的直流电压,其中每个直流到直流转换器与所述电源串联,一直接连接位于所述至少两个直流到直流转换器之间,所述直接连接附接至接线,所述接线连接至基准电压。所述方法进一步包括将所述减小的直流电压供应至所述多个灯中的一个或更多个灯,并且所述多个灯与所述灯头组件之间的最大电位为约100V。
附图说明
本公开内容的特征已简要概述于前,并在以下有更详尽的讨论,可以通过参照实施方式(一些实施方式描绘于附图中)以作详细理解。然而,值得注意的是,附图仅绘示了本公开内容的典型实施方式,因此不应被视为限制本公开内容的范围,因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。
图1是根据一个实施方式的热处理腔室的示意性截面图。
图2是根据一个实施方式的定位于灯头组件中的灯示意性截面图。
图3是根据一个实施方式的灯驱动器的电路图。
图4是根据另一个实施方式的灯驱动器的电路图。
图5是根据另一个实施方式的灯驱动器的电路图。
为了便于理解,在可能的情况下,使用相同的参考标记代表图示中共有的相同元件。可以预期,一个实施方式中披露的元件可有利地用于其它实施方式中而无需赘述。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造