[发明专利]外延碳化硅单晶晶片的制造方法以及外延碳化硅单晶晶片

权利要求书

1.一种外延碳化硅单晶晶片的制造方法，其特征在于，其是在相对于(0001)面向<11-20>方向倾斜的角度即偏斜角度为4°以下的碳化硅单晶基板上流动硅系以及碳系的材料气体，通过热CVD法使碳化硅外延生长来制造外延碳化硅单晶晶片的方法，其中，

使所述硅系以及碳系的材料气体中的碳与硅的原子数比即C/Si比为0.5以上且1.0以下，形成由厚度为1μm以上且10μm以下的碳化硅外延膜制成的缓冲层，

以每小时15μm以上且100μm以下的生长速度形成由碳化硅外延膜制成的漂移层，使在该漂移层的表面观察到的浅坑的深度为30nm以下。

2.根据权利要求1所述的外延碳化硅单晶晶片的制造方法，其中，以每小时1μm以上且10μm以下的生长速度使缓冲层生长，使所述原子数比即C/Si比为1.0以上且2.0以下，使漂移层生长。

3.一种外延碳化硅单晶晶片，其特征在于，其具备：

相对于(0001)面向<11-20>方向倾斜的角度即偏斜角度为4°以下的碳化硅单晶基板；

形成在所述碳化硅单晶基板上、掺杂密度为1×10¹⁸个原子/cm³以上且1×10¹⁹个原子/cm³以下并且由厚度为1μm以上且10μm以下的碳化硅外延膜制成的缓冲层；和

形成在所述缓冲层上、掺杂密度为1×10¹⁵个原子/cm³以上且1×10¹⁷个原子/cm³以下并且由厚度为10μm以上且30μm以下的碳化硅外延膜制成的漂移层，其中，

所述漂移层表面中的浅坑的深度为30nm以下，

在所述碳化硅单晶基板一侧设置由Ni制成的欧姆电极、在所述漂移层一侧设置由Ni制成的肖特基电极来形成肖特基势垒二极管的情况下，逆向施加电压为400V时的泄漏电流达到1×10^-11A/cm²以上且1×10^-8A/cm²以下。