[实用新型]低反压功率晶体管

权利要求书

1.一种低反压功率晶体管，晶圆片尺寸为1.78mm×1.78mm，低掺杂N型集电区上设有高掺杂P型基区，基区上设有高掺杂N型发射区，其特征在于，所述晶圆片为磊晶矽晶圆片，所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个所述柱状发射区上设有发射区引线孔，发射极引线由发射区金属化电极条连接至发射极电极；每个所述柱状发射区四角基区上设有基区引线孔，基极引线由基区金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；所述低掺杂N型集电区上，高掺杂P型基区外围处设有保护环结构，所述低掺杂N型集电区、保护环、高掺杂N型发射区、高掺杂P型基区上设有磊晶外延层；所述磊晶外延层、高掺杂N型发射区、高掺杂P型基区上沉积阳极金属；低掺杂N型集电区背面沉积阴极金属。

2.根据权利要求1所述的低反压功率晶体管，其特征在于，所述保护环结构总宽度为102μm，由低掺杂N型集电区和低掺杂N型集电区外围宽40μm的高掺杂N型保护环组成，高掺杂N型保护环和高掺杂P型基区的横向距离为62μm。

3.根据权利要求1所述的低反压功率晶体管，其特征在于，所述发射区引线孔为直径为30μm的圆孔，基区引线孔为直径为25μm的圆孔；相邻两个发射区引线孔的中心距为140μm，发射区金属化电极条宽度为62μm，基区金属化电极条宽度为53μm。

4.根据权利要求1所述的低反压功率晶体管，其特征在于，所述绝缘槽的宽度为12.5μm。

5.根据权利要求1所述的低反压功率晶体管，其特征在于，所述低掺杂N型集电区电阻率为5Ω·cm。

6.根据权利要求1所述的低反压功率晶体管，其特征在于，所述阳极金属为Al，阴极金属为Ag；阳极金属沉积厚度为4μm，阴极Ag金属层沉积厚度为0.68μm。

7.根据权利要求1所述的低反压功率晶体管，其特征在于，所述阳极金属和阴极金属外有保护膜。