[实用新型]一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜技术领域，尤其是一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置。

背景技术

对于真空蒸发设备，通常在真空镀膜腔室内设置一个可旋转的镀膜伞架，镀膜伞架通过中心回转机构被安装在真空镀膜腔室顶部。镀膜时，承载着镀膜基片的镀膜伞架以中心回转机构为轴进行转动，以有利于实现镀膜均一性。真空蒸发设备的蒸发源可以选择电子束蒸发源、电阻加热蒸发源等。蒸发源通常设置在真空镀膜腔室的底部，并朝向镀膜伞架。真空蒸发设备通常还配备离子源，用于实现离子辅助镀膜。对于上述的蒸发源和离子源，在使用过程中均会产生大量多余的热量，从而造成镀膜基片受到不必要的加热。

一般情况下，可采用在真空镀膜腔室的侧壁和顶壁设置水冷管来降低真空镀膜腔室内的温升，但是在一些特殊情况下，仅依靠侧壁水冷降温的方式还不能有效避免镀膜基片受到有害热辐射。尤其是一些对热敏感的镀膜基片，比如超薄ARTON树脂基片，过多的热量会导致基片材料性质发生明显变化，从而影响整体镀膜品质。针对上述问题，减小蒸发源和离子源的使用功率为一种解决途径，但这还不能有效解决多余热量到达镀膜基片的问题，而且还可能导致由于功率下降影响成膜质量。

发明内容

本实用新型的目的是根据上述现有技术的不足，提供了一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置，通过在镀膜伞架和镀膜源之间设置加载了水冷机构的水冷挡板，使镀膜源的出射粒子在到达镀膜基片之前被水冷挡板降温，从而除去过多的热量，避免镀膜基片因受到过多的热量而发生材料性质变化，保证镀膜品质。

本实用新型目的实现由以下技术方案完成：

一种适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置，包括真空镀膜室，在所述真空镀膜室的腔室顶部具有可旋转的镀膜伞架，所述镀膜伞架上具有用于承载镀膜基片的工位，在所述真空镀膜室的腔室内具有镀膜源，所述镀膜源设置于所述镀膜伞架的下方，其特征在于：在所述镀膜源和所述镀膜伞架之间设置有具有水冷机构的水冷挡板，所述水冷挡板固定在所述真空镀膜室之中，在所述水冷挡板上开设有开口，所述开口的开设位置对应于所述镀膜源的设置位置，满足于使所述镀膜源的出射粒子通过所述开口到达所述镀膜伞架上的所述工位的需要。

所述真空镀膜室的腔室内具有至少两个所述镀膜源，所述水冷挡板上开设有与所述镀膜源一一对应的所述开口，所述开口之间通过设置在所述水冷挡板上的分割筋分隔。

在所述镀膜源的外围设置有屏蔽罩，所述屏蔽罩上具有开口，所述开口位于所述镀膜源的出射区域中。

所述镀膜源为蒸发源和离子源中的一种或两种的组合。

所述开口为扇形或为两侧轮廓线是内收弧线的类扇形。

所述水冷机构为水冷管。

所述水冷挡板为不锈钢水冷挡板或铜水冷挡板。

本实用新型的优点是：对于热敏感基片的降温效果明显，保证镀膜质量；在降温的同时，便于修正镀膜均一性；结构简单，成本低。

附图说明

图1为本实用新型的正视图；

图2为图1的侧视图；

图3为本实用新型水冷挡板以下部分的俯视图；

图4为本实用新型中水冷挡板的俯视图。

具体实施方式

以下结合附图通过实施例对本实用新型特征及其它相关特征作进一步详细说明，以便于同行业技术人员的理解：

如图1-4所示，图中标记1-15分别表示为：真空镀膜室1、镀膜伞架2、镀膜基片3、中心回转机构4、第一蒸发源5、第二蒸发源6、离子源7、第一蒸发源屏蔽罩8、第二蒸发源屏蔽罩9、离子源屏蔽罩10、水冷挡板11、分割筋12、第一蒸发源开口13、第二蒸发源开口14、离子源开口15。

实施例：如图1所示，本实施例中适用于对热敏感的基片进行镀膜的镀膜装置包括真空镀膜室1，真空镀膜室1的腔室内部为镀膜空间。在真空镀膜室1的顶部设置有中心回转机构4，镀膜伞架2固定安装在中心回转机构4上，在中心回转机构4的驱动下，镀膜伞架2可绕中心回转机构4旋转。在镀膜伞架2上均匀布置有若干镀膜基片3。

如图1所示，在镀膜伞架2的下方设置有第一蒸发源5、第二蒸发源6以及离子源7，三个镀膜源均固定设置在真空镀膜室1的内部，用于对承载在镀膜伞架2上的若干镀膜基片3进行镀膜。结合图1和图2所示，第一蒸发源5和第二蒸发源6固定设置在真空镀膜室1的底部，离子源7固定设置在真空镀膜室1的侧壁之上。