[实用新型]基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池有效
| 申请号: | 201621436713.3 | 申请日: | 2016-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN206301843U | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
| 发明(设计)人: | 张雷;李锋;杨刚;刘莹;陈志军;白雪天;李英叶 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/46;H01L31/18 |
| 代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 申超平 |
| 地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 聚乙二炔 钙钛矿 纳米 复合 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池。
背景技术
将太阳能转换为电能是解决环境污染和能源危机的重要途径之一,近年来以钙钛矿为吸光材料的新型太阳能电池发展迅猛,转化效率已提升至22.1%(认证效率),受到了越来越多的科研工作者的关注。
钙钛矿吸光层作为钙钛矿太阳能电池的核心部分,其成膜质量对电池性能起着决定性作用。钙钛矿的成膜性与钙钛矿的制备工艺密切相关,目前主要的制备手段有溶液法、真空沉积法、蒸汽辅助沉积法等。其中溶液法因工艺简单、成本低廉而被广泛应用。但溶液法容易受多种因素的影响,制备的钙钛矿膜可控性较差。因此控制钙钛矿薄膜的生长、改善其成膜性能对提高器件的光电性能十分关键。
为了调控钙钛矿吸光层薄膜生长过程、提高膜层质量,已经有许多技术被报道。在前驱体溶液中加入添加剂以调控钙钛矿形貌,是优化电池性能的一种简单、有效的手段。目前,许多研究组开展了在钙钛矿材料中掺杂添加剂的相关工作,例如:掺杂含氯的前驱体(CH3NH3Cl、NH4Cl、PbCl2)、无机酸(HI、次磷酸)、高分子聚合物(PEG、PVP等)等多种类型。研究表明添加剂的引入,可在一定程度上改善钙钛矿的成膜性与结晶性能,进而提高电池的光电转换效率或改善器件稳定性。
但是某些添加剂改善钙钛矿成膜的机制尚不清晰,改善效果也具有一定的局限性,比如电池在工作时输出不稳定,且寿命较差,电流密度与电压(J-V)曲线测试时迟滞现象严重。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,能够解决现有技术中存在的电池稳定性差、电流密度与电压曲线测试时迟滞的问题,可有效提高载流子迁移率及电池转换效率,提升电池稳定性。
为解决上述技术问题,本实用新型采取的技术方案是:基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,包括衬底和依次层叠于该衬底上的透明电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极,所述钙钛矿吸光层为聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜。
进一步地,所述的钙钛矿吸光层薄膜厚度为80-800nm。
进一步地,所述的钙钛矿吸光层薄膜厚度为200-400nm。
进一步地,所述的电子传输层厚度为5-150nm。
进一步地,所述的电子传输层厚度为10-50nm
进一步地,所述的空穴传输层的厚度为5-300nm。
进一步地,所述的空穴传输层的厚度为10-150nm。
进一步地,所述的电子传输层选自TiO2、SnO2、ZnO、富勒烯衍生物PC61BM、富勒烯衍生物PC71BM、钛的螯合物TIPD、ICBA或C60衍生物中的任意一种。
进一步地,所述金属电极选自金属材料金、银、铜、铝中的一种。
本实用新型的有益效果在于:
(1)本实用新型的钙钛矿吸光层薄膜为聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜,是在钙钛矿前驱体溶液中加入含多种功能团的乙二炔,增加吸光层薄膜的晶粒尺寸及致密性,获得高质量钙钛矿薄膜,显著提高电池的光电性能及其稳定性。
(2)本实用新型所采用乙二炔,有利于光生载流子的传输,降低载流子复合几率,提高器件输出的稳定性、消除器件的测试迟滞效应。
附图说明
图1为本实用新型基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池实施例的结构示意图。
图中:1-衬底、2-透明电极、3-电子传输层、4-钙钛矿吸光层、5-空穴传输层、6-金属电极。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





