[实用新型]基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201621436713.3 申请日: 2016-12-26
公开(公告)号: CN206301843U 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 张雷;李锋;杨刚;刘莹;陈志军;白雪天;李英叶 申请(专利权)人: 英利集团有限公司
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01L51/46;H01L31/18
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所13120 代理人: 申超平
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 基于 聚乙二炔 钙钛矿 纳米 复合 薄膜 太阳能电池
【权利要求书】:

1.基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,其特征在于,包括衬底和依次层叠于该衬底上的透明电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极,所述钙钛矿吸光层为聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜。

2.如权利要求1所述的基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,其特征在于,所述的钙钛矿吸光层薄膜厚度为80-800nm。

3.如权利要求2所述的基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,其特征在于,所述的钙钛矿吸光层薄膜厚度为200-400nm。

4.如权利要求1所述的基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,其特征在于,所述的电子传输层厚度为5-150nm。

5.如权利要求4所述的基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,其特征在于,所述的电子传输层厚度为10-50nm。

6.如权利要求1所述的基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,其特征在于,所述的空穴传输层的厚度为5-300nm。

7.如权利要求6所述的基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,其特征在于,所述的空穴传输层的厚度为10-150nm。

8.如权利要求1所述的基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,其特征在于,所述的电子传输层选自TiO2、SnO2、ZnO、富勒烯衍生物PC61BM、富勒烯衍生物PC71BM、钛铅合金层TiPd、茚双加成C60衍生物ICBA或C60衍生物中的任意一种。

9.如权利要求1所述的基于聚乙二炔/钙钛矿纳米复合薄膜的太阳能电池,其特征在于,金属电极选自金属材料金、银、铜、铝中的一种。

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