[实用新型]半导体测试结构

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

待测试结构，所述待测试结构位于至少两个测试焊垫之间；

保护电阻，所述保护电阻的一端串联在所述待测试结构的任意一个所述测试焊垫上，所述保护电阻的另一端与一最终测试焊垫相连。

2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述保护电阻为一个电阻；或者所述保护电阻由多个电阻串联而成。

3.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述保护电阻为金属电阻或者多晶硅电阻。

4.如权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述多晶硅电阻的俯视形状为条形。

5.如权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述多晶硅电阻包括：

一位于一基底上的多晶硅电阻层；

一金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层覆盖部分所述多晶硅电阻层的顶部。

6.如权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述基底包括阱区，所述多晶硅电阻位于所述阱区上。

7.如权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构还包括：

若干导电插塞，所述导电插塞位于未被所述金属硅化物阻挡层覆盖的所述多晶硅电阻层的两端位置，用以分别电连接所述多晶硅电阻层和所述待测试结构、电连接所述多晶硅电阻层和所述最终测试焊垫。

8.如权利要求7所述的半导体测试结构，其特征在于，通过一第一连接金属条将部分所述导电插塞和所述待测试结构相连，通过一第二连接金属条将另一部分所述导电插塞和所述最终测试焊垫相连。

9.如权利要求8所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一连接金属条和第二连接金属条位于同一金属层中。

10.如权利要求1至9中任意一项所述的半导体测试结构，其特征在于，所述保护电阻的阻值为1千欧姆至1万欧姆之间。

11.如权利要求1至9中任意一项所述的半导体测试结构，其特征在于，所述待测试结构位于一第一测试焊垫和一第二测试焊垫之间，所述第一测试焊垫上连接若干相互平行的第一金属条，所述第二测试焊垫上连接若干相互平行的第二金属条，所述第一金属条与第二金属条位于同一金属层中，与所述第一测试焊垫连接的第一金属条和与第二测试焊垫连接的第二金属条之间相互穿插。