[实用新型]易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及声表面波滤波器，具体涉及一种易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构。

背景技术

随着通讯技术的不断发展，声表面波器件的应用也越来越广，对器件的封装性能也有了更高的要求，其中高真空密封、小型化、易与集成电路集成封装的声表面波器件是未来声表面波器件封装技术的一个发展方向。现有的插脚封装、薄膜封装、SMD贴片封装和CSP倒装封装技术均存在密闭性差，且不易在硅片等半导体材料上集成的缺点，增加了声表面波器件的使用成本，一定程度上限制了通讯系统的集成设计。

插脚封装和SMD贴片封装工艺复杂，需要内部引线键合实现电信号连接实际封装尺寸是器件结构尺寸的1.5倍以上，且随着器件尺寸的减小，封装尺寸所占比例会不断增大，且多数封装在常压环境下完成，器件中还可能存在水汽和颗粒物质影响器件的可靠性；薄膜封装和CSP倒装封装虽然封装尺寸可接近器件结构尺寸，但其封装密闭性差，无法满足设备对声表面波器件的可靠性要求，且薄膜封装后的器件需要高一级的封装进行保护，不可单独使用，CSP倒装工艺需要根据不同的器件设计不同尺寸的倒装基板，且后期设计的修改电极位置和尺寸要和基板的设计保持一致，对于批量小的研发类项目，相对开发成本会大幅提高。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型公开了一种易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构。

本实用新型的技术方案如下：

一种易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构，包括压电基底；所述压电基底之上固定有声表面波器件结构层；还包括半导体材料；在所述压电基底的边缘、所述压电基底和所述半导体材料之间，由下至上依次固定有第一金属键合层和第二金属键合层；所述第一金属键合层的厚度大于所述声表面波器 件结构层的厚度；所述半导体材料之上制作有通孔结构；所述通孔结构中填充有导电材料；在所述半导体材料的底面、所述通孔结构的位置还固定有面积大于所述通孔结构的面积的连接电极；所述连接电极的厚度小于所述第二金属键合层的厚度；所述半导体材料的顶面制作有电极结构。

其进一步的技术方案为，所述压电基底为钽酸锂、铌酸锂或者石英。

其进一步的技术方案为，所述声表面波器件结构层的厚度小于1um。

其进一步的技术方案为，所述第一金属键合层的厚度为2～5um，宽度大于100um。

其进一步的技术方案为，所述半导体材料双面抛光。

其进一步的技术方案为，所述通孔结构中的导电材料为铜、钨或高分子导电材料。

其进一步的技术方案为，所述连接电极的厚度小于200A；所述第二金属键合层的厚度大于10um。

本实用新型的有益技术效果是：

本实用新型提出的一种声表面波器件封装结构，通过高真空金-金键合实现真空密封，能有效地降低封装环境对器件可靠性的影响，保证了器件的可靠性；且封装尺寸接近器件结构尺寸，基本可达到与芯片结构1：1的尺寸比例，实现了芯片尺寸级封装，封装尺寸小更有利于集成度的提高；封装结构的信号输入输出和接地电极均位于半导体硅或锗基片上，兼容集成电路和MEMS封装工艺，更方便与其他半导体器件的集成封装。是一种高可靠性、微型化且易于集成封装的一种声表面波器件封装结构。

附图说明

图1是本实用新型的结构图。

图2是压电基底之上固定有声表面波器件结构层的俯视图。

图3是半导体材料内部横切面的俯视图。

图4是半导体材料外侧表面的俯视图。

具体实施方式

图1是本实用新型的结构图。如图1所示，本实用新型包括压电基底1。压电基底1单面抛光，具体可以为钽酸锂、铌酸锂或者石英。

压电基底1之上固定有声表面波器件结构层5。声表面波器件结构层5是指叉指换能器、反射栅等结构。通过第一次光刻蒸发进而完成声表面波器件结 构层5的制备，该声表面波器件结构层5的材料厚度一般小于1um，在信号输入、输出和接地的位置为无电极结构。