[实用新型]易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构

权利要求书

1.一种易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构，其特征在于，包括压电基底(1)；所述压电基底(1)之上固定有声表面波器件结构层(5)；还包括半导体材料(4)；在所述压电基底(1)的边缘、所述压电基底(1)和所述半导体材料(4)之间，由下至上依次固定有第一金属键合层(2)和第二金属键合层(3)；所述第一金属键合层(2)的厚度大于所述声表面波器件结构层(5)的厚度；所述半导体材料(4)之上制作有通孔结构(7)；所述通孔结构(7)中填充有导电材料；在所述半导体材料(4)的底面、所述通孔结构(7)的位置还固定有面积大于所述通孔结构(7)的面积的连接电极(6)；所述连接电极(6)的厚度小于所述第二金属键合层(3)的厚度；所述半导体材料(4)的顶面制作有电极结构(8)。

2.如权利要求1所述的易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构，其特征在于，所述压电基底(1)为钽酸锂、铌酸锂或者石英。

3.如权利要求1所述的易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构，其特征在于，所述声表面波器件结构层(5)的厚度小于1um。

4.如权利要求1所述的易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构，其特征在于，所述第一金属键合层(2)的厚度为2～5um，宽度大于100um。

5.如权利要求1所述的易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构，其特征在于，所述半导体材料(4)双面抛光。

6.如权利要求1所述的易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构，其特征在于，所述通孔结构(7)中的导电材料为铜、钨或高分子导电材料。

7.如权利要求1所述的易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构，其特征在于，所述连接电极(6)的厚度小于200A；所述第二金属键合层(3)的厚度大于10um。