[实用新型]研磨组件

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体设备技术领域，特别是涉及一种研磨组件。

背景技术

化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工艺的过程主要包括晶圆被一个可活动的研磨头压在研磨垫上，晶圆和研磨垫同时转动，同时配合研磨性和腐蚀性的抛光液。在这个过程中，晶圆表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。

随着半导体制造工艺的发展，化学机械抛光被认为是目前唯一能提供晶片全局和局部平坦化的工艺技术。化学机械抛光工艺已被广泛用于层间介质、金属层(如钨栓塞、铜连线)、浅沟槽隔离的去除和平整，成为半导体制造工艺中发展最快的领域之一。现有的研磨组件通常包括：基座、研磨环、吸附机构，在具体的操作过程中，每完成一片晶圆的研磨后研磨组件都会自动进行一次清洗，但是基座与吸附机构间的逢隙无法得到有效的清洗，导致部分玷污物(包括磨料颗粒、被抛光材料带来的颗粒以及研磨液残留)藏于此处，这些玷污物积攒后形成大颗粒玷污物，在后面晶圆的研磨过程中掉落，可导致后面的晶圆出现宏观划痕(macro scratch)。因此，为了减少宏观划痕，通常需要定期拆下研磨组件进行人工清洗，这样将会降低机台的有效工作时间，同时浪费人力。

因此，提供一种改进型的化学机械研磨组件非常必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种研磨组件，用于解决现有技术中的进行晶圆研磨时，基座与吸附机构间的逢隙无法得到有效的清洗，导致晶圆出现宏观划痕的问题，本实用新型提供的研磨组件无需定期拆下进行人工清洗。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种研磨组件，所述研磨组件包括：基座；吸附机构，所述吸附机构设置于所述基座的下表面；研磨环，所述研磨环设置于所述基座的下表面，且设置于所述吸附机构的外围，其中，所述研磨环上设置横向贯穿所述研磨环的通孔。

作为本实用新型的一种优选方案，所述研磨环可拆卸套置于所述吸附机构的外围。

作为本实用新型的一种优选方案，所述研磨环固定设置于所述吸附机构的外围。

作为本实用新型的一种优选方案，所述通孔沿所述研磨环的周向均匀分布。

作为本实用新型的一种优选方案，所述吸附机构呈倒“T”形，包括第一直径部和第二直径部，所述第一直径部与所述基座的下表面相接触，所述第一直径部的直径小于所述第二直径部的直径。

作为本实用新型的一种优选方案，所述通孔设置于所述研磨环与所述吸附机构的所述第一直径部对应的位置。

作为本实用新型的一种优选方案，所述研磨环与所述吸附机构的所述第二直径部具有间隙。

作为本实用新型的一种优选方案，所述间隙的水平距离为1.00mm-1.15mm。

作为本实用新型的一种优选方案，所述研磨组件还设有清洗管，所述清洗管位于所述研磨环外围，且至少所述清洗管的管嘴与所述通孔位于同一平面内。

作为本实用新型的一种优选方案，所述清洗管沿所述研磨环的周向均匀分布。

如上所述，本实用新型的研磨组件，在具体操作过程中，具有如下有益效果：

1、进行晶圆研磨时，使基座与吸附机构间的逢隙得到有效的清洗，减少晶圆出现的宏观划痕；

2、无需定期拆下研磨组件清洗，提高机台的有效工作时间，节约人力。

附图说明

图1显示为本实用新型实施例一中提供的研磨组件的剖面结构示意图。

图2显示为本实用新型实施例一中提供的研磨组件的立体图。

图3a及图3b显示为本实用新型实施例二中提供的研磨组件的结构示意图，其中，图3b为图3a的俯视结构示意图。

元件标号说明

11基座

12研磨环

121 通孔

13吸附机构

131 第一直径部

132 第二直径部

14清洗管

141 管嘴

15间隙

4 清洗液

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。