[实用新型]半导体功率模块3D封装构造

权利要求书

1.一种半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：至少包括一个元胞，所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；

所述芯片组件包括设置于下绝缘层上方的芯片和设置于芯片与上绝缘层之间的可产生竖向弹力的弹性导电件；芯片包括底部设有源极的场效应管芯片和底部设有正极的二极管芯片，场效应管芯片的顶面设置有栅极和漏极，二极管芯片的顶面设置有负极；所述上绝缘层的底面设置有第一上导电层和第二上导电层，下绝缘层的顶面设置有下导电层，弹性导电件包括电连接于第一上导电层与栅极之间的第一弹性导电件、电连接于第二上导电层与漏极之间的第二弹性导电件和电连接于第二上导电层与负极之间的第三弹性导电件；

所述电极组件包括均设置有接线端子的第一电极座、第二电极座和第三电极座，所述第一电极座、第二电极座和第三电极座均固定设置有用于固定上绝缘层和下绝缘层的金属卡止，第一电极座通过自身金属卡子与第一上导电层电连接，第二电极座通过自身金属卡子与第二上导电层电连接，第三电极座通过自身金属卡子与下导电层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：所述第一弹性导电件、第二弹性导电件和第三弹性导电件均为弧形铜排，所述弧形铜排两端弯折形成水平段。

3.根据权利要求2所述的半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：所述第二上导电层为两条平行的第二条形导电层并分别与第二弹性导电件和第三弹性导电件两端的水平段电连接，所述第一上导电层为设置于两第二条形导电层之间的第一条形导电层并与第一弹性导电件的水平段电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：所述3D封装构造沿竖向向下至少包括两个并列布置的第一元胞和第二元胞，所述第一元胞的下导电层与第二元胞的第二上导电层通过金属制成的连接卡子电连通；第一元胞的电极组件与第二元胞的电极组件分别对应一体成型。

5.根据权利要求4所述的半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：所述电极组件还包括设置有接线端子的第四电极座，所述第四电极座固定设置有用于固定第一元胞和第二元胞的金属卡止，第四电极座通过自身的金属卡子与第二元胞的第二上导电层电连接。

6.根据权利要求4所述的半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：包括设置于第二元胞下方的第三元胞，所述第二元胞的下导电层与第三元胞的第二上导电层通过金属制成的连接卡子电连通；第三元胞的电极组件与第二元胞的电极组件分别对应一体成型。

7.根据权利要求6所述的半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：所述电极组件还包括设置有接线端子的第五电极座，所述第五电极座固定设置有用于固定第一元胞、第二元胞和第三元胞的金属卡止，第五电极座通过自身的金属卡子与第三元胞的第二上导电层电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：所述第二电极座与第三电极座向对设置，第四电极座和第五电极座同时与第一电极座相对设置。

9.根据权利要求4所述的半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：所述金属卡子和连接卡子均为U形铜卡。

10.根据权利要求4至9任一权利要求所述的半导体功率模块3D封装构造，其特征在于：相邻两个元胞的上绝缘层和下绝缘层为同一绝缘层。