[实用新型]取像装置有效
申请号: | 201621374815.7 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN206348813U8 | 公开(公告)日: | 2017-09-22 |
发明(设计)人: | 洪浚郎;陈琮善 | 申请(专利权)人: | 金佶科技股份有限公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00 |
代理公司: | 深圳市金笔知识产权代理事务所(特殊普通合伙)44297 | 代理人: | 胡清方,彭友华 |
地址: | 中国台湾新竹市东区(*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
技术领域
本实用新型是有关于一种取像装置,尤其是指一种用于识别生物特征的一种取像装置。
背景技术
生物辨识的种类包括脸部、声音、虹膜、视网膜、静脉和指纹辨识等,由于每个人的指纹都是独一无二的,且指纹不易随着年龄或身体健康状况而变化,因此指纹辨识系统已成为目前最普及的一种生物辨识系统。依照感测方式的不同,指纹辨识系统还可分为光学式、电容式、超音波式及热感应式等。
光学式指纹辨识系统包括取像装置及处理单元。熟知的取像装置包括光源、光接收器以及透光压板。光源用以发出光束,以照射按压在透光压板上的手指。手指的指纹是由多条不规则的凸纹(即指纹的凸部)与凹纹(即指纹的凹部)所组成。当手指按压透光压板时,凸纹接触透光压板,而凹纹不接触透光压板。传统的光学式指纹辨识器波峰是暗的,波谷是亮的。藉此,在光接收器的光接收面上形成为明暗交错的指纹影像。光接收器将指纹影像转换为对应的影像信息,并将影像信息输入至处理单元。处理单元可利用算法计算对应于指纹的影像信息,进而对用户的身份进行辨识。然而,在上述的取像过程中,指纹的凸纹与凹纹均会反射光束,当被凸纹反射的光束的光强度与被凹纹反射的光束的光强度差异不大时,光接收器取得的指纹影像的对比度不高,而不利于使用者的身份辨识。
实用新型内容
本实用新型提供一种取像装置,能够取得质量良好的影像,以利于辨识。
本实用新型一实施例的取像装置包括成像单元及光接收器,成像单元包括电极、配置于电极上的发光层及配置于发光层上的第一介电层。物体的至少一部分接触第一介电层的一部份,以使发光层发出对应于所述第一介电层的所述部份的影像光束。光接收器配置于影像光束的传递路径上。
本实用新型另一实施例的取像装置包括成像单元、光接收器、导电组件及激发源,成像单元包括载有至少一电极的透明基板、配置于所述至少一电极上的发光层以及配置于发光层上的第一介电层。物体的至少一部分接触第一介电层的一部份,以使发光层发出对应于第一介电层的部份的影像光束,而光接收器配置于影像光束的传递路径上。导电组件配置在成像单元的第一介电层上以定义出至少一不与物体接触的非取像区域,激发源电性连接于导电组件与电极之间。
在本实用新型的一实施例中,上述的取像装置更包括激发源。激发源输出能量至成像单元的电极及物体,其中能量能使发光层发光。
在本实用新型的一实施例中,上述的激发源为电源,且电源与成像单元的电极以及物体电性连接。
在本实用新型的一实施例中,上述的取像装置更包括导电组件。导电组件配置于成像单元的第一介电层上且具有暴露第一介电层的开口,其中电源与导电组件电性连接,而物体通过导电组件与电源电性连接。
在本实用新型的一实施例中,上述的取像装置更包括导电组件。导电组件整合于成像单元的第一介电层中,且具有用于接触物体的感测区域。电源与导电组件电性连接,而物体通过导电组件与电源电性连接。
在本实用新型的一实施例中,上述的能量包括电能。
在本实用新型的一实施例中,上述的成像单元更包括第二介电层,第二介电层配置于发光层与电极之间。
在本实用新型的一实施例中,上述的取像装置更包括镜头,镜头配置于成像单元与光接收器之间,影像光束穿过镜头,以成像于光接收器的光接收面上。
在本实用新型的一实施例中,上述的取像装置更包括棱镜,成像单元配置于棱镜上,棱镜偏折影像光束,以使影像光束传递至光接收器的光接收面上。
在本实用新型的一实施例中,上述的成像单元直接配置于光接收器上而与光接收器接触。
在本实用新型的一实施例中,上述的取像装置更包括导光层,导光层覆盖光接收器的光接收面,成像单元配置于导光层上。
在本实用新型的一实施例中,上述的取像装置更包括反射组件,相对于成像单元倾斜设置。反射组件反射影像光束,以使影像光束传递至光接收器的光接收面上。
在本实用新型的一实施例中,上述的取像装置更包括配置于成像单元上的提示单元,提示单元包括朝远离成像单元的方向依序堆叠的第一导电图案、第一介电图案、发光图案、第二介电图案、第二导电图案以及绝缘图案。
在本实用新型的一实施例中,上述的第一介电层包括表面硬化处理层。
在本实用新型的一实施例中,上述的成像单元更包括第二介电层。第二介电层配置于发光层与电极之间,第一介电层的硬度大于第二介电层的硬度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金佶科技股份有限公司,未经金佶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621374815.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。