[实用新型]硅片少子寿命测试用的气氛控制装置有效

专利信息
申请号: 201621358548.4 申请日: 2016-12-12
公开(公告)号: CN206301761U 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 麦耀华;沈艳娇;陈兵兵;郭建新;陈剑辉 申请(专利权)人: 河北大学
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 石家庄国域专利商标事务所有限公司13112 代理人: 胡素梅,苏艳肃
地址: 071002 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 硅片 少子 寿命 测试 气氛 控制 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及光伏太阳能电池领域,具体地说是一种硅片少子寿命测试用的气氛控制装置。

背景技术

硅片少子寿命的测试对于硅片的性能提升研究和质量控制而言是非常关键的一步。对太阳能电池而言,少子寿命的测试可以衡量表面处理技术的优劣,也可以表征钝化层薄膜的钝化质量,对于电池的前端工艺研究和最终的性能预测都有着重要的应用价值。目前测试少子寿命都是在大气环境中进行。这是因为传统晶硅电池所采用的钝化材料为二氧化硅、氮化硅等无机材料,其钝化效果受环境影响较小。随着技术的发展,有机材料钝化、聚合物钝化、活泼无机材料钝化等新技术应运而生。这些材料受环境影响较为明显,例如会受湿度、氧化等的影响。这种情况下少子寿命的测试就需要在特殊的气氛下进行。

实用新型内容

本实用新型的目的就是提供一种硅片少子寿命测试用的气氛控制装置,该装置可以直接安装在现有的少子寿命设备上,操作简单,光谱兼容性好。

本实用新型的目的是这样实现的:一种硅片少子寿命测试用的气氛控制装置,在少子寿命测试平台上设置有上下开口、用于罩住待测硅片的盒体,在所述盒体的上开口处扣盖有透明盖,且所述盒体的上开口处与所述透明盖接触部位设置有上密封圈,所述盒体的下开口处与少子寿命测试平台接触部位设置有下密封圈;在所述盒体的侧壁开有与所述盒体内腔相通的进气口和出气口,通过所述进气口和所述出气口可向所述盒体的内腔中提供硅片少子寿命测试所需的气氛。

所述透明盖为全光谱通透或选择性光谱通透的透明盖。

所述上密封圈和所述下密封圈均为橡胶密封圈。

所述盒体为圆柱形或长方体形结构。

通过所述进气口和所述出气口向所述盒体的内腔中提供的硅片少子寿命测试所需气氛为氧气气氛、干燥空气气氛、氮气气氛或真空气氛。

本实用新型所提供的硅片少子寿命测试用的气氛控制装置,可直接安置在少子寿命测试平台上,由该气氛控制装置的盒体将少子寿命测试平台上的硅片罩住,盒体上方扣盖透明盖,且盒体的上下开口处分别设置密封圈,使得盒体内腔形成一个密闭的空间。通过盒体侧壁的进气口可向盒体内通入氧气、干燥空气、氮气或其他特殊气体等,还可将进气口和出气口与真空泵相接,对盒体内腔进行抽真空,从而向盒体内提供硅片少子寿命测试所需的各种不同的气氛。

本实用新型结构简单,安装方便,能够为硅片少子寿命测试提供各种不同的气氛;且盒体上方的透明盖可以为全光谱透明或选择性光谱透明的盖子,因此光谱兼容性也比较好。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中:1、盒体,2、透明盖,3、上密封圈,4、下密封圈,5、进气口,6、出气口。

具体实施方式

如图1所示,本实用新型所提供的硅片少子寿命测试用的气氛控制装置,可直接安置在少子寿命测试平台上,具体是:在少子寿命测试平台(图中未示出)上放置盒体1,盒体1呈上下开口结构,其形状可以为圆柱形、长方体、正方体或其他不规则体等,盒体1放置在少子寿命测试平台上时要通过其下开口罩住放置在少子寿命测试平台上的待测硅片。

在盒体1的上方扣盖有透明盖2,透明盖2将盒体1的上开口完全覆盖。透明盖2可以为全光谱通透的盖子,也可以是选择性光谱通透的盖子,从而使得整个气氛控制装置具有很好的光谱兼容性。在盒体1的上开口与透明盖2相接触的部位设置上密封圈3,在盒体1的下开口与少子寿命测试平台相接触的部位设置下密封圈4。上密封圈3和下密封圈4一般均设置为橡胶密封圈。上密封圈3和下密封圈4可使得盒体1的内腔处于严密的封闭空间。

在盒体1的侧壁开有与盒体1内腔相通的进气口5和出气口6,通过进气口5可向盒体1内腔中通入所需气体,例如可通入氧气、干燥空气、氮气或别的特殊气体等。通过出气口6可将盒体1内腔的气体排出。对于需要真空环境的情况下,还可以使进气口5和出气口6同时与真空泵相接,通过真空泵对盒体1内腔进行抽真空。

少子寿命测试平台一般是基于光电导衰减技术的少子寿命测试仪的平台。钝化后的硅片被置于少子寿命测试平台上,然后将本实用新型中的气氛控制装置安置在少子寿命测试平台上,并使盒体1罩住待测硅片。通过进气口5和出气口6向盒体1内腔提供硅片少子寿命测试所需的气氛。对于经有机材料、聚合物、活泼无机材料钝化后的硅片,可避免这些材料受环境的影响致使硅片少子寿命测试结果不准确。

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