[实用新型]一种基于可控硅和继电器的开关控制装置

说明书

技术领域

本实用新型属于电气工程领域，具体涉及一种基于可控硅和继电器相结合的开关控制装置。

背景技术

在电气工程领域，开关是经常需要使用的器件，控制电路的通断，但是在实际的工业应用中，面临的一个问题是，电路启动时的冲击电流往往很大，开关电路作为电流流经的第一个元件往往需要承受很大的瞬时冲击电流，经常造成开关被烧损影响正常使用，更有甚者，在瞬时冲击电流的作用下，开关的触点经常会粘连在一起，造成开关无法正常切断电路或者电路短路，从而引起更大的损坏。

在工业应用中，人们经常采用开关电路和漏电开关相关联的方法来解决开关粘连的问题，授权公告号为CN204967247U的实用新型专利“一种开关触点粘连故障保护电路”即采用的是漏电开关的方法，具体是将漏电开关和电路开关串联在一起，漏电开关的输出端接在电路开关的输入端，电路开关的输出端接在负载电路上，一旦发生电路开关的触点粘连，则由漏电开关负责切断整个电路从而起到保护用电安全的作用，但是这样的做法仅仅是事后的补救，电路开关还是会因为各种原因发生触点粘连的故障，并不能从根本上解决问题。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供一种利用可控硅和继电器相结合的控制装置，分步骤，有延时的导通开关电路，从而避免了一次性启动开关时冲击电流造成的电路开关触点粘连问题，本实用新型的技术方案如下：

一种基于可控硅和继电器的开关控制装置，包括微处理器和控制电路，其中，所述的控制电路包括可控硅电路和继电器电路，所述的可控硅电路和继电器电路采用并联方式连接。

作为优选方案，所述的可控硅电路还包括可控硅过零导通驱动芯片和外置功率可控硅。

作为优选方案，所述的可控硅过零导通驱动芯片为MOC3083芯片。

作为优选方案，所述的微处理器为ARM STM32F051C8处理器。

作为优选方案，所述的可控硅电路和继电器电路的导通时差大于10ms，小于100ms。

作为优选方案，所述的可控硅电路和继电器电路的导通时差为50ms。

作为优选方案，所述的可控硅电路在没有冲击电流的零点处导通。

本实用新型的有益效果在于：

1、本实用新型通过可控硅和继电器并联的电路结构，在微处理器的控制下，在市电没有瞬时冲击电流的零点处先让可控硅电路导通，然后有延时的导通继电器电路，从而避免了瞬时冲击电流对开关电路的伤害，解决了开关触点在瞬时冲击电流的作用下发生粘连的故障，保护了开关器件和整个电路的用电安全。

2、因为继电器触点闭合的电阻值接近于零，所以负载的大部分电流经继电器触点流过，可以使可控硅基本无电流通过，可控硅就不会出现发热情况，从而达到减少电路功率损耗目的。

3、本实用新型结构简单，操作容易，生产成本低，便于大规模生产，同时本实用新型采用了微处理器作为控制导通的器件，灵敏度大大提高。

附图说明

图1是本实用新型的元件连接框图

图2是本实用新型可控硅部分的电路图

图3是本实用新型继电器部分的电路图

具体实施方式

为了更加清楚地理解本实用新型的目的、技术方案及有益效果，下面结合附图对本实用新型做进一步的说明，但并不将本实用新型的保护范围限定在以下实施例中。

如图1所述，一种基于可控硅和继电器的开关控制装置，包括微处理器1和控制电路2，微处理器1采用的是ARM STM32F051C8处理器，控制整个电路的依次导通和时钟信号，控制电路2由可控硅电路21和继电器电路22并联组成，其中可控硅电路21中包含一个控制电路导通的可控硅过零导通驱动芯片211和外置功率可控硅222，可控硅部分的电路连接端为 TRIAC1，具体电路图如图2所示，继电器部分的电路连接端为LINE1-OFF-ON，具体电路图如图3所示，其中继电器通断电路的动作时间以各个不同型号的继电器的出厂频率为准。

具体的工作过程如下：