[实用新型]一种基于可控硅和继电器的开关控制装置有效
| 申请号： | 201621346047.4 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN206805194U | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 詹红军 | 申请（专利权）人： | 四川华体照明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610207 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 可控硅 继电器 开关 控制 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于可控硅和继电器的开关控制装置，包括微处理器(1)和控制电路(2)，其特征在于，所述的控制电路(2)包括可控硅电路(21)和继电器电路(22)，所述的可控硅电路(21)和继电器电路(22)采用并联方式连接。
2.根据权利要求1所述的开关控制装置，其特征在于，所述的可控硅电路(21)包括可控硅过零导通驱动芯片(211)和外置功率可控硅(222)。
3.根据权利要求2所述的开关控制装置，其特征在于，所述的可控硅过零导通驱动芯片(211)为MOC3083芯片。
4.根据权利要求1所述的开关控制装置，其特征在于，所述的微处理器(1)为ARM STM32F051C8处理器。
5.根据权利要求4所述的开关控制装置，其特征在于，所述的可控硅电路(21)和继电器电路(22)的导通时差大于10ms，小于100ms。
6.根据权利要求5所述的开关控制装置，其特征在于，所述的可控硅电路(21)和继电器电路(22)的导通时差为50ms。
7.根据权利要求6所述的开关控制装置，其特征在于，所述的可控硅电路(21)在没有冲击电流的零点处导通。
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