[实用新型]一种多晶硅片控温清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及多晶硅片清洗设备领域，尤其涉及一种多晶硅片控温清洗装置。

背景技术

硅片清洗是多晶硅片生产中一个非常重要的环节，微量污染会导致器件失效，所以多晶硅片须经严格清洗。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。目前的硅片清洗机普遍采用超声波清洗和加热同时进行并加入碱对硅片进行清洗，在清洗过程中需要加入大量的热水。再加注热水时，过少，温度不够，清洗效果差；过多，温度过高，导致硅片表面氧化，形成废品。

因此，提供一种能够调控碱洗槽水温的装置，就成为了业内亟待解决的问题。

实用新型内容

为解决背景技术提到的问题，本实用新型提出如下技术方案：

一种多晶硅片控温清洗装置，包括碱洗槽，其特征在于：还包括加热水箱、水泵、抽水管、加水管，所述碱洗槽侧壁底部相通连接加水管，所述加水管相通连接加热水箱底部，在加热水箱顶部通过水管连接水泵出水端，所述水泵抽水端连接抽水管，所述抽水管另一端设在碱洗槽水面下方。

优选的，所述的抽水管与加水管管径相同，保证碱洗槽内水量不变。

优选的，所述加热水箱内部设有加热装置。

优选的，所述的加热装置为电加热器。

优选的，所述的加热水箱高度高于碱洗槽水面高度。

优选的，所述的抽水管底部端口处设有隔离网

通过，抽水管将碱洗槽中温度较低的水，吸入加热水箱中，经过加热由加水管再次进入碱洗槽中，来控制温度不变。

本实用新型作为多晶硅片的清洗装置，具有温度稳定，持续工作的优点。

附图说明：

图1为本实用新型的整体结构示意图。

其中：1-碱洗槽，2-水面，3-隔离网，4-抽水管，5-水泵，6-加热水箱，7-加热装置，8-加水管。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面对本实用新型作进一步说明：

一种多晶硅片控温清洗装置，包括碱洗槽1，其特征在于：还包括加热水箱6、水泵5、抽水管4、加水管8，所述碱洗槽1侧壁底部相通连接加水管8，所述加水管8相通连接加热水箱6底部，在加热水箱6顶部通过水管连接水泵5出水端，所述水泵5抽水端连接抽水管4，所述抽水管4另一端设在碱洗槽1水面2下方。

优选的，所述的抽水管4与加水管8管径相同，保证碱洗槽1内水量不变。

优选的，所述加热水箱6内部设有加热装置7。

优选的，所述的加热装置7为电加热器。

优选的，所述的加热水箱6高度高于碱洗槽1水面2高度。

优选的，所述的抽水管4底部端口处设有隔离网3。

通过，抽水管4将碱洗槽1中温度较低的水，吸入加热水箱6中，经过加热由加水管8再次进入碱洗槽1中，来控制温度不变。

以上只通过说明的方式描述了本实用新型的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，不应理解为对本实用新型权利要求保护范围的限制。