[实用新型]一种液相狭缝干涉合成设备有效
申请号: | 201621293740.X | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN206286558U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 曹笃盟;柴明强;齐勇;张亚红;王媛媛;孟涛;包飞燕;王龙;王维斌;陈文莉;潘梨军 | 申请(专利权)人: | 金川集团股份有限公司 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心62100 | 代理人: | 孙惠娜,王芸 |
地址: | 737103*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 狭缝 干涉 合成 设备 | ||
技术领域
本实用新型属于液相合成设备技术领域,具体涉及一种主要应运于银粉液相合成微米、纳米领域的液相狭缝干涉合成设备。
背景技术
国外中高端银粉垄断国内市场,国内企业不愿对银粉生产大量投资,国内工艺技术突破与低端设备匹配困难,自动化程度低。90%以上企业均以搅拌釜为主要合成设备,表面活性剂为主要控制手段,辅以其他参数控制,停留在宏观层面上的控制,有内六方搅拌釜,混合度有很大程度的提高,但依然无法解决浓度随时间变化不规律变化的合成过程,使得过程控制困难,人为因素多,重复性差。而直接合成不同粒度配比的银粉,其堆积致密性高,浆料导电性优越,很多国内浆料公司通过后期不同粒度配比,实现浆料性能的提高,但传统方式无法实现不同粒度比例搭配的银粉产品。故浆料突破远远快于银粉生产,导致国内银粉行业在近10年内进步缓慢,只有中低端银粉占有部分国内市场,其余全部依靠国外。在国外高端银粉合成技术封锁未能传入国内,国内急需提高设备控制技术及工艺合成方法的创新实用新型研究,使国内进入高端银粉产品行业。
传统的合成釜液相合成过程,其浓度随时间变化而不规律的变化,以及间歇式的合成方式,使得银粉合成可控能力差,是稳定均匀性差,重复性差,不能进入高端银粉行业的主要原因之一,且无法实现不同粒度配比的银粉产品。对于选定体系的液相合成,在无催化剂情况下,通过正交实验表明,体系反应物浓度是合成银粉表征指标影响最重要因素,而表面活性剂的大量使用,从一定方面降低了粉末的一些电学性能。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中的缺点而提供一种液相狭缝干涉合成设备,本实用新型旨在解决浓度不规律变化所带来的影响,减少表面活性剂的使用量,保证银粉合成过程微观可控,实现连续合成方式,提高银粉各项表征指标,保持高度重复性,达到产品均匀稳定,且可实现直接合成不同粒度配比的银粉,开创液相高稳定性连续无返混的高端银粉合成控制新方法。
为解决本实用新型的技术问题采用如下技术方案:
一种液相狭缝干涉合成设备,包括上下两个平行双通道狭缝扁平限制区和单通道狭缝合成区,所述上下两个平行双通道狭缝扁平限制区和单通道狭缝合成区凸凹镶嵌连通后固定置于AB区衔接固定台上;其中上下两个平行双通道狭缝扁平限制区分别设有氧化还原物料进口和还原氧化物料进口,所述氧化还原物料进口和还原氧化物料进口与棱形可密闭式配液釜相连;所述单通道狭缝合成区为可通冷却循环水的长方形空壳,所述单通道狭缝合成区靠近上下两个平行双通道狭缝扁平限制区的部分一侧设有冷却水进口,另一侧设置冷却水出口,所述单通道狭缝合成区外套有绝缘卡套,所述绝缘卡套上下面设有两个平行通道能够分别将第一电极板和第二电极板镶入并固定,所述第一电极板和第二电极板均设有与电流控制器链接的电流控制器接线柱;所述单通道狭缝合成区与上下两个平行双通道狭缝扁平限制区连接部位的垂直面为超声器连接面,所述超声器连接面焊接超声发射器;去能量槽通过去能量槽隔板分为进液区和出液区,其中进液区和出液区在能量槽隔板底部连通,进液区承接单通道狭缝合成区生成的银粉溶液出口,出液区通过底部出口连接过滤洗涤设备。
所述上下两个平行双通道狭缝扁平限制区长为0.2m-5m,其中每个通道狭缝宽为0.2m-1.5m,高为0.001m-0.5m。
所述单通道狭缝合成区(A)长为0.2m-5m,宽为0.2m-1.5m,高为0.004m-1.002m。
所述绝缘卡套为橡胶材质。
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