[实用新型]高功率和高频率异质结场效应晶体管

权利要求书

1.一种异质结场效应晶体管，包括：

主体，其包括第一半导体材料的沟道层；在所述沟道层之上的第二半导体材料的阻挡层；以及在所述阻挡层之上的钝化层；

在所述主体中延伸的源极电极和漏极电极；

栅极区，其在所述源极电极和所述漏极电极之间的主体中延伸；

在所述栅极区之上和在所述钝化层之上的电介质层；以及

导电材料的场板，其被耦合到所述源极电极且在包括于所述栅极区与所述漏极电极之间的区域中在所述电介质层内部延伸，该场板具有面对所述主体且具有多个台阶的表面。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述台阶具有从栅极区向所述漏极电极移动的相对于所述主体增大的距离。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述场板包括在所述电介质层之上延伸的平面部分和相互不同的多个突出指状物，所述突出指状物从所述电介质层内部的平面部分朝着所述主体延伸。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述场板包括在所述电介质层之上延伸的平面部分和从所述平面部分朝着所述主体延伸且在底部处由所述表面定界的单个突出区。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述主体包括沟槽，并且所述栅极区包括栅极电极和栅极绝缘层，所述栅极区被布置在所述沟槽内部，并且所述栅极绝缘层在所述钝化层与所述电介质层之间且在所述沟槽内部围绕着所述栅极电极延伸。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极区在所述钝化层内部延伸。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极区在所述钝化层和所述阻挡层内部延伸。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一半导体材料和第二半导体材料具有不同的带隙，并且包括周期表的III-V族的元素。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述沟道层是氮化镓，并且所述阻挡层是氮化铝镓。

10.一种场效应晶体管，包括：

半导体主体；

在所述主体中延伸的源极电极和漏极电极；

栅极区，其在源极电极和漏极电极之间的主体中延伸；

在所述栅极区之上和在所述半导体主体之上的电介质层；以及

导电材料的场板，其被耦合到所述源极电极且在包括于所述栅极区与所述漏极电极之间的区域中在电介质层内部延伸，该场板具有面对所述主体且具有多个台阶的表面。

11.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述台阶具有从栅极区向漏极电极移动的相对于所述主体增大的距离。

12.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述场板包括在所述电介质层之上延伸的平面部分和相互不同的多个突出指状物，所述突出指状物从所述电介质层内部的平面部分朝着所述主体延伸。

13.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述场板包括在所述电介质层之上延伸的平面部分和从所述平面部分朝着所述主体延伸且在底部处由所述表面界定的单个突出区。