[实用新型]一种芯片上表面齐平的功率模块有效
| 申请号： | 201621271404.5 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN206194730U | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李聪成;王玉林;滕鹤松;徐文辉;牛利刚 | 申请（专利权）人： | 扬州国扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/13 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 陈静 |
| 地址： | 225101 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 表面 功率 模块 | ||
1.一种芯片上表面齐平的功率模块，包括绝缘基板，绝缘基板上表面金属层上设有烧结层，烧结层上设有芯片，所有芯片的厚度不完全相同，其特征在于：所述上表面金属层厚度不均匀，使得所有芯片上表面高度一致。
2.根据权利要求1所述的芯片上表面齐平的功率模块，其特征在于：所述上表面金属层上设有凸台，凸台上设有烧结层。
3.根据权利要求2所述的芯片上表面齐平的功率模块，其特征在于：多个厚度相同的芯片共用一个凸台。
4.根据权利要求2所述的芯片上表面齐平的功率模块，其特征在于：所述凸台顶部尺寸大于烧结层底部尺寸。
5.根据权利要求1所述的芯片上表面齐平的功率模块，其特征在于：所述上表面金属层上设有凹槽，凹槽内设有烧结层。
6.根据权利要求5所述的芯片上表面齐平的功率模块，其特征在于：多个厚度相同的芯片共用一个凹槽。
7.根据权利要求5所述的芯片上表面齐平的功率模块，其特征在于：所述凹槽底部尺寸大于烧结层底部尺寸。
8.根据权利要求1所述的芯片上表面齐平的功率模块，其特征在于：所有芯片中，厚度为中间值的芯片对应的烧结层直接设置在上表面金属层上，厚度大于中间值的芯片对应的烧结层设置在上表面金属层的凹槽内，厚度小于中间值的芯片对应的烧结层设置在上表面金属层的凸台上。
9.根据权利要求2或8所述的芯片上表面齐平的功率模块，其特征在于：所述凸台为上表面金属层的一部分。
10.根据权利要求2或8所述的芯片上表面齐平的功率模块，其特征在于：所述凸台为焊接在上表面金属层上的薄铜片。
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