[实用新型]一种碳化硅管沉积装置有效
申请号: | 201621259882.4 | 申请日: | 2016-11-23 |
公开(公告)号: | CN206308418U | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 邹继兆;邹广金;曾燮榕;黎晓华;姚跃超;余良 | 申请(专利权)人: | 东莞劲胜精密组件股份有限公司;东莞华程金属科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/458 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 沉积 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种碳化硅管沉积装置。
背景技术
目前,含锂的半导体在温度高于800℃时都有锂的挥发,致使生长单晶体用石英管内壁发生严重腐蚀,甚至石英管破裂;还有现有石墨坩埚含有大量的孔隙导致表面粗糙不利于生长单晶体,而通过采用在石英管内壁和石墨坩埚表面镀热解炭可以解决上述问题;另外,在一些实验中,需要在样品上镀上炭膜,为后续实验防止腐蚀,提高耐磨性、导电性、反光性及增进美观等作用;还有一些应用如炭膜电阻器,是采用高温真空镀膜技术将碳紧密附在瓷棒表面形成炭膜,然后加适当接头切割,并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成,其表面常涂有绿色保护漆,其中炭膜的厚度决定阻值的大小,通常通过控制膜的厚度和刻槽来控制电阻器。
如前所示,镀炭膜技术现在应用越来越广泛,但是现有的镀炭膜技术通常需要在高真空状态下进行、花费较长时间,而且还存在受热不均匀而导致炭膜的厚度不均等问题。
以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本实用新型的构思及技术方案,其并不必然属于本专利申请的现有技术,在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下,上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提出一种碳化硅管沉积装置,能够实现不使用高真空的情况下对需要镀炭膜的目标物快速镀出结构均匀、厚度可控的炭膜,而且具有效率高、工艺条件易控、炭膜与目标物结合紧密等优点。
为达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
本实用新型公开了一种碳化硅管沉积装置,包括石英管层、碳化硅层和第一保温层,其中所述石英管层、所述碳化硅层和所述第一保温层均为管状结构,所述第一保温层套设在所述碳化硅层的表面,所述碳化硅层套设在所述石英管层的表面,所述石英管层内部形成沉积区。
优选地,所述碳化硅层的内径为2~20cm。
优选地,所述碳化硅层的厚度为5~15mm。
优选地,所述第一保温层的材料为普通石棉、高铝石棉、含锆石棉、莫来石纤维毯中的一种。
优选地,所述第一保温层的厚度为3~8cm。
优选地,所述碳化硅沉积装置还包括第二保温层,所述第二保温层设置在所述第一保温层的端部,其中所述石英管层延伸至所述第二保温层内,以形成连通所述沉积区的气体通道。
优选地,所述第二保温层的材料为普通石棉、高铝石棉、含锆石棉、莫来石纤维毯中的一种。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:本实用新型提供一种包括石英管层、碳化硅层和第一保温层的碳化硅管沉积装置,在石英管层内部形成沉积区,将需要镀炭膜的目标物置于该沉积区内,并通过微波加热,且通入碳源气体,就可以实现不使用高真空的情况下对需要镀炭膜的目标物快速镀出结构均匀、厚度可控的炭膜,而且具有效率高、工艺条件易控、炭膜与目标物结合紧密等优点。
在进一步的方案中,在第一保温层的端部还设有第二保温部,且石英管层延伸至第二保温部,形成连通沉积区的气体通道,使得沉积区内热量损失更小。
附图说明
图1是本实用新型优选实施例的碳化硅管沉积装置的横截面示意图;
图2是本实用新型优选实施例的碳化硅管沉积装置的纵截面示意图;
图3是本实用新型实施例一的石墨坩埚镀炭膜的示意图;
图4是本实用新型实施例二的石英管镀炭膜示意图。
具体实施方式
下面对照附图并结合优选的实施方式对本实用新型作进一步说明。
如图1和图2所示,本实用新型优选实施例的碳化硅管沉积装置包括石英管层11、碳化硅层12和第一保温层13,第一保温层13套设在碳化硅层12的表面,碳化硅层12套设在石英管层11的表面,石英管层11内部形成沉积区14,在碳化硅管沉积装置的端部(也即第一保温层13的端部)还设有第二保温层15,石英管层延伸至第二保温层15,以形成连通至沉积区14的气体通道。其中碳化硅层12的内径为2~20cm,碳化硅层12的厚度为5~15mm,第一保温层13的厚度为3~8cm,第一保温层13和第二保温层15分别可以采用普通石棉、高铝石棉、含锆石棉、莫来石纤维毯中的任意一种。
下述结合具体实例对采用本实用新型的碳化硅管沉积装置进行快速镀炭膜进行进一步说明。
实例一:
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