[实用新型]芯片封装模块有效
| 申请号: | 201621228398.5 | 申请日: | 2016-11-10 |
| 公开(公告)号: | CN206293428U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
| 发明(设计)人: | 伍荣翔;方向明 | 申请(专利权)人: | 成都线易科技有限责任公司;电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 王术兰 |
| 地址: | 610213 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及电气元件领域,具体而言,涉及一种芯片封装模块。
背景技术
电子封装是指把构成系统的元器件和芯片按照电路要求布置、键合、互联、组装并且与外部环境隔离。电子封装能够为芯片提供机械支撑、环境保护和电气连接等重要功能,但是,电子封装会影响到芯片和元件的性能。随着集成磁性器件在芯片中密度的增加、功率的增大,电子封装对具有集成磁性器件的芯片的性能影响也越来越大。
现有技术是将具有集成磁性器件的芯片直接安装在引线框架或封装基板的表面。具有集成磁性器件的芯片的性能容易受到封装中产生的涡流影响,造成芯片中的集成磁性器件的功耗增大、品质因数下降、耦合减弱,甚至不能正常工作的情况。现有技术已不能满足具有集成磁性器件的芯片的封装需要。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种芯片封装模块,在芯片与封装基板之间设置有导磁性中间层,以改善现有的电子封装由于涡流影响,造成芯片中的集成磁性器件出现功耗增大、品质因数下降、耦合减弱的不足。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种芯片封装模块,包括待封装芯片、导磁性中间层以及封装基板,所述待封装芯片设置有集成磁性器件,所述导磁性中间层固定连接于所述待封装芯片与所述封装基板之间。
优选地,上述的芯片封装模块中,所述导磁性中间层为导磁胶,所述待封装芯片与所述封装基板通过所述导磁胶粘接。
导磁胶可以将集成磁性器件产生的磁场向芯片的边缘引导,从而可以减小进入封装基板的磁场,避免出现由于产生涡流而影响集成磁性器件的性能的情况。
优选地,上述的芯片封装模块中,所述导磁性中间层为磁性薄膜,所述磁性薄膜的形状不小于所述待封装芯片的形状。优选的所述磁性薄膜的形状与所述封装芯片的形状相匹配。
磁性薄膜的形状与待封装芯片的形状相匹配,既可以使待封装芯片中集成磁性器件的磁场被磁性薄膜导向边缘,又由于磁性薄膜的形状与待封装芯片的形状相匹配,不会浪费多余的磁性薄膜,降低了磁性薄膜的成本。
优选地,上述的芯片封装模块中,所述磁性薄膜的一面通过粘合剂与所述待封装芯片粘接,所述磁性薄膜的另一面通过粘合剂与所述封装基板连接。
磁性薄膜可以通过粘合剂分别与待封装芯片以及封装基板相连接。当然,也可以通过其他的方式与待封装芯片以及封装基板连接,具体的连接方式不应该理解为是对本实用新型的限制。
在芯片封装模块中,所述磁性薄膜可以沉积于所述待封装芯片上将与所述封装基板相粘合的一面,所述磁性薄膜的远离所述待封装芯片的一面通过粘合剂与所述封装基板粘接。
磁性薄膜还可以沉积于封装基板上,并且磁性薄膜远离封装基板的一面通过粘合剂与待封装芯片粘接。
优选地,上述的芯片封装模块中,所述待封装芯片与所述封装基板相对的一面通过焊接部实现电连接,例如使用焊球或铜柱凸点与所述封装基板连接,所述待封装芯片与所述封装基板之间设有具有磁性颗粒的填充物。
在填充物中,增加磁性颗粒,可以使填充物的相对磁导率大于1,从而引导磁场到上述待封装芯片的边缘,减小封装基板的金属部分中产生的涡流。
优选地,上述的芯片封装模块中,所述待封装芯片包括衬底以及介质层,所述集成磁性器件为螺旋形线圈,所述衬底的表面开设有螺旋形凹槽,所述螺旋形线圈与所述螺旋形凹槽相匹配,所述螺旋形线圈设置于所述螺旋形凹槽内,所述介质层覆盖所述衬底的设置有所述螺旋形线圈的一面,所述衬底的远离所述介质层的一面与所述导磁性中间层固定连接。
芯片中的集成磁性器件可以为螺旋形线圈,即嵌入式电感。导磁性中间层可以将螺旋形线圈(即嵌入式电感)产生的磁场向待封装芯片的边缘引导,减小进入封装基板中的磁场,以提高螺旋形线圈(即嵌入式电感)的性能。并且,螺旋形线圈可以通过介质层中的金属以引线键合的方式与外界进行电连接。
优选地,上述的芯片封装模块中,所述待封装芯片包括衬底以及介质层,所述集成磁性器件为堆叠式变压器,所述衬底与所述介质层固定连接。所述堆叠式变压器包括第一螺旋形线圈、第二螺旋形线圈、第一导体通路以及第二导体通路。所述第一螺旋形线圈设置于所述衬底的内部,所述第二螺旋形线圈设置于所述介质层的内部,所述第一导体通路以及第二导体通路均设置于所述介质层的内部,且所述第一导体通路以及第二导体通路位于所述第一螺旋形线圈以及第二螺旋形线圈之间,所述第一导体通路与所述第一螺旋形线圈的一端相连接,所述第二导体通路与所述第一螺旋形线圈的另一端相连接,所述衬底远离所述介质层的一面与所述导磁性中间层固定连接。
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