[实用新型]一种太阳能薄膜电池有效
申请号: | 201621213561.0 | 申请日: | 2016-11-10 |
公开(公告)号: | CN206364022U | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 黄信二 | 申请(专利权)人: | 研创应用材料(赣州)股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032 |
代理公司: | 南昌佳诚专利事务所36117 | 代理人: | 闵蓉 |
地址: | 330029 江西省赣州市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 薄膜 电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池,尤其涉及一种太阳能薄膜电池。
背景技术
太阳能电池的种类众多,而CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池拥有高转换效率及发展潜力而受到瞩目,目前CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池最高转换效率由美国再生能源实验室(NREL)所创造,其效率已达21%,CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池发展至今其组件结构大致件由基板(GLASS)、下电极
(Mo/NaMo)、吸收层(CIGS)、缓冲层(CdS)、光窗层(AZO低阻和ZnO高阻)与上电极(AL/Ni)所组成。
针对可挠性衬底的CIGS太阳能电池,一般在透明导电膜上(光窗层)可以用丝印低温银浆的方式制造上电极,或者采用电铸铜的方式来制作上电极。目前上电极金属化线路制作方式尚有一些缺点,丝印低温银浆方面,由于光窗层的透明导电膜不耐高热,所以丝印必须采用低温银浆,低温银浆固含量低,所以一般线路高度必须达20-30微米,多道次丝印及多道次烘干,才能确保所需的导电度(电阻率小于8x10-6Ωcm),造成银浆用量大增。由于丝印银浆的电阻比较高,所以对透明导电膜的电性要求就比较严苛。且由于低温银浆材料技术门坎高因此来源有限,所以价格高昂,造成电池的生产成本增加。此外,由于低温银浆的温度较低,封装时串焊及热场的温度必须降低,所以传统硅片电池封装的生产线经验不能共享,而必须修改或者重新设计。金属化线路采用电铸的方面,一般先设计光罩,使用溅镀机先真空溅镀一层纯铜种子层,接着电镀纯铜,然后表面再电镀或者化镀镍作为保护。这样在产线设计时就必须新增一台真空溅镀机,增加设备成本。另外纯铜种子层容易氧化在做完后必须小心地保护,以利后续电铸铜的进行。光罩成本也很高,且必须时常清理避免堵塞。如果不使用光罩,就必须利用黄光制程来做出线路,再溅镀种子层然后电铸纯铜到所需的厚度,然后电镀或者化镀镍做保护,最后去光阻,程序也相对复杂,将来设备投入成本也不低。
本实用新型针对CIGS电池上电极金属化线路提出丝印与电铸结合的新方式,在CIGS组件结构光窗层透明导电膜(TCO)上面先丝印较薄的银浆线路2-15微米,烘干后,在电镀纯铜3-25微米厚,电阻率小于5x10-6Ωcm,达到设定的厚度后,再利用电镀或者化镀一层镍0.1-2.0微米作为保护层。主要的优点有线路与TCO贴合性良好及阻抗低,相同线路高度下电阻低于纯丝印的制程,线路可靠度及一致性提高了,降低高价银浆用量,也避免了高昂真空溅镀设备及光罩的投入,并有利于后续封装时的串焊,整体降低生产成本,有利于市场的推广及产品的普及。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳能薄膜电池,针对CIGS电池上电极金属化线路提出丝印与电铸结合的新方式,在CIGS组件结构光窗层透明导电膜(TCO)上面先丝印较薄的银浆线路2-15微米,烘干后,在电镀纯铜3-25微米厚,电阻率小于5x10-6Ωcm,达到设定的厚度后,再利用电镀或者化镀一层镍0.1-2.0微米作为保护层。主要的优点有线路与TCO贴合性良好及阻抗低,相同线路高度下电阻低于纯丝印的制程,线路可靠度及一致性提高,降低高价银浆用量,也避免了高昂真空溅镀设备及光罩的投入,有利于后续封装时的串焊,整体降低了生产成本,有利于市场的推广及产品的普及。
本实用新型是这样实现的,它包括衬底、绝缘阻障层、下电极、吸收层、缓冲层、第一光窗层、第二光窗层、三明治结构上电极,其特征在于,所述衬底、绝缘阻障层、下电极、吸收层、缓冲层、第一光窗层、第二光窗层和三明治结构上电极从下到上依次连接。
所述衬底为不锈钢基板,所述绝缘阻障层为真空溅镀ZnO、SiO2或者TiO2,所述下电极为真空溅镀MoNa/Mo两层结构层,所述吸收层为多阶段蒸镀CIGS吸收层,所述缓冲层为溅镀CdS或者溅镀InS,所述第一光窗层为真空溅镀ZnO或者真空溅镀ZnMgO,所述第二光窗层为真空溅镀AZO、IZO或者ITO,所述第二光窗层为上述三种材质中任意一种或任意两种堆栈,所述三明治结构上电极上从下到外依次为丝印银浆、电镀纯铜层、最后电镀或者化镀金属镍层。
所述绝缘阻障层中TiO2的厚度为25-200nm、ZnO厚度的为25-200nm、SiO2厚度的为25-200nm。
所述下电极中MoNa的厚度为50-300nm、Mo的厚度为50-300nm。
所述吸收层的厚度为500-3000nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的