[实用新型]一种太阳能薄膜电池有效
申请号: | 201621213561.0 | 申请日: | 2016-11-10 |
公开(公告)号: | CN206364022U | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 黄信二 | 申请(专利权)人: | 研创应用材料(赣州)股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032 |
代理公司: | 南昌佳诚专利事务所36117 | 代理人: | 闵蓉 |
地址: | 330029 江西省赣州市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 薄膜 电池 | ||
1.一种太阳能薄膜电池,它包括衬底(1)、绝缘阻障层(2)、下电极(3)、吸收层(4)、缓冲层(5)、第一光窗层(6)、第二光窗层(7)、三明治结构上电极(8),其特征在于,所述衬底(1)、绝缘阻障层(2)、下电极(3)、吸收层(4)、缓冲层(5)、第一光窗层(6)、第二光窗层(7)和三明治结构上电极(8)从下到上依次连接。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能薄膜电池,其特征在于,所述衬底(1)为不锈钢基板,所述绝缘阻障层(2)为真空溅镀ZnO、SiO2或者TiO2,所述下电极(3)为真空溅镀MoNa/Mo两层结构层,所述吸收层(4)为多阶段蒸镀CIGS吸收层,所述缓冲层(5)为溅镀CdS或者溅镀InS,所述第一光窗层(6)为真空溅镀ZnO或者真空溅镀ZnMgO,所述第二光窗层(7)为真空溅镀AZO、IZO或者ITO,所述第二光窗层(7)为上述三种材质中任意一种或任意两种堆栈,所述三明治结构上电极(8)上从下到外依次为丝印银浆、电镀纯铜层、最后电镀或者化镀金属镍层。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能薄膜电池,其特征在于,所述绝缘阻障层(2)中TiO2的厚度为25-200nm、ZnO厚度的为25-200nm、SiO2厚度的为25-200nm。
4.根据权利要求2所述的一种太阳能薄膜电池,其特征在于,所述下电极(3)中MoNa的厚度为50-300nm、Mo的厚度为50-300 nm。
5.根据权利要求2所述的一种太阳能薄膜电池,其特征在于,所述吸收层(4)的厚度为500-3000nm。
6.根据权利要求2所述的一种太阳能薄膜电池,其特征在于,所述缓冲层(5)中溅镀CdS的厚度为25-200nm,折射率为2.2-2.6、溅镀InS的厚度为25-200nm,折射率为2.2-2.5。
7.根据权利要求2所述的一种太阳能薄膜电池,其特征在于,所述第一光窗层(6)中真空溅镀ZnO的厚度为 50-300nm,折射率为2.0-2.1,可见光透光度>85%、真空溅镀ZnMgO的厚度为 50-300nm,折射率为2.0-2.2,可见光透光度>85%。
8.根据权利要求2所述的一种太阳能薄膜电池,其特征在于,所述第二光窗层(7)中真空溅镀ITO的厚度为50-300nm,折射率为1.9-2.1,当真空溅镀ITO的厚度为150nm,电阻率为4x10-4Ωcm以下,可见光透光性为82%以上、AZO的厚度为150-1000nm,折射率为2.0-2.1,当AZO的厚度为150nm时,电阻率为9x10-4Ωcm以下,可见光透光性为82%以上、IZO层薄膜厚度为50-350nm,折射率为1.9-2.2,当IZO层薄膜厚度为150nm时,电阻率为5x10-4Ωcm以下,可见光透光性为82%以上。
9.根据权利要求2所述的一种太阳能薄膜电池,其特征在于,所述三明治结构上电极(8)中丝印银浆的烘干温度<200℃,其厚度为2-15 um,电阻率<8x10-6Ωcm、电镀纯铜层的厚度为3-25 um,电阻率<4x10-6Ωcm、电镀或者化镀金属镍层,其厚度为0.1-2.0um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的