[实用新型]抗干扰延时可控的低电压检测装置

说明书

技术领域

本实用新型属于集成电路领域，具体涉及一种抗干扰延时可控的低电压检测装置。

背景技术

众所周知，电压检测电路检测供给电压，当该电压变化到某一设定值时，电压检测电路输出控制信号。当我们设定这一标准电压值时，希望电路能准确检测出并输出相应的控制信号。在现有技术的电压检测电路很容易做到这一点，但是也存在着抗干扰能力不强，精确度不高，不利于改动，输出信号不稳定等缺点。

请参见图1所示，这是现有技术一种电压检测电路的电原理图。该电压检测电路由电阻分压电路、逻辑组合电路、恢复电压设定电路和控制信号输出电路组成。VIN经过电阻R1和电阻R2、R3分压得到电压V1，与比较器正极相接，比较器的负极与基准电压VREF相接，反相器的输入接比较器的输出，反相器的输出接输出电路中M2的栅极，M2的源极和衬低接地，漏极为输出信号。与此同时，M2与M1的栅极相连，M1的源极和衬低接地，漏极接在R2与R3之间。

上述检测电路的工作原理是：当设定VIN使得V1低于VREF时(此时的VIN为开启电压)，VOUT为高阻态，当设定VIN使得V1高于VREF时，VOUT为低电平。可是一旦VOUT为低电平也就是反相器输出为高电平，再次设定VIN使得V1低于VREF时，由于M1的开启VIN比第一种情况时电压变高了，这一新的电压值叫恢复电压。在此过程中，基准电压VREF不随VIN变化而变化，根据VOUT的输出变化实现电压检测功能。

上述现有技术电压检测电路虽然能在供给电压变化到设定值时产生输出控制信号，也能设定恢复电压值，但是在实际应用中存在的缺陷是:

1.由于外界的干扰信号的存在，使得检测结果不够准确。

2.恢复电压与原来开启电压的比值与R1、R2、R3都有关，变动起来不方便也不够精确。

3.此电路是对输入电压瞬时值的检测，导致输出信号不稳定。

实用新型内容

本实用新型提出一种抗干扰延时可控的低电压检测装置以解决上述问题，本实用新型具有抗干扰能力强，高精度准确度和易于调整的优点。

为了达到解决上述缺陷的目的，本实用新型给出的技术方案为：抗干扰延时可控的低电压检测装置，其特征在于：包括基准电压电路、电阻分压电路、逻辑组合电路、整形电路、恢复电压设定电路和电容充放电电路；电阻分压电路、恢复电压设定电路、逻辑组合电路、电容充放电电路和整形电路依次电联接；基准电压电路与逻辑组合电路电连接；基准电压电路用于产生基准电压；电阻分压电路用于产生输入比较器正极的电压；逻辑组合电路用于控制电容充放电电路的电容；整形电路用于对电容充放电电路中电容两端的电压进行整形，并且其输出用来控制恢复电压设定电路的启动；恢复电压设定电路用于设定恢复电压的大小；电容充放电电路用于控制电容的充电和放电；

还包括延时控制电路；所述延时控制电路用于提供一个使能端来选择是否打开延时控制功能；当打开延时控制的时候，所述延时控制电路为输出结果提供设定的延时。

进一步的，所述延时控制电路包括使能端EN、第一传输门、第二传输门和第三反相器，所述延时控制电路通过EN端电平的高低来选择是否启动延时功能。

进一步的，第一传输门和第二传输门均由增强型NMOS管和PMOS管组成；第一传输门的NMOS管的栅端与第二传输门的PMOS管的栅端相连，并且与使能端EN连在一起；第三反相器的输入是EN端，输出连接至第一传输门的PMOS管栅端和第二传输门的NMOS管栅端；第一传输门的输入是第一反相器的输出，第二传输门的输入和电阻R5的一端及MOS管M4的漏端连接在一起；第一传输门与第二传输门的输出连接在一起并连至整形电路。